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Punktdefekte in SiC: Koppeln von Licht, Spin und Materie

Point defects in SiC: Coupling of Light, Spin, and Matter

Michel Bockstedte (ORCID: 0000-0001-5720-4010)
  • Grant-DOI 10.55776/I5195
  • Förderprogramm Einzelprojekte International
  • Status beendet
  • Projektbeginn 01.03.2021
  • Projektende 31.03.2025
  • Bewilligungssumme 154.389 €

DACH: Österreich - Deutschland - Schweiz

Wissenschaftsdisziplinen

Physik, Astronomie (100%)

Keywords

    Color Centers in Semiconductors, Coupling of Quantumbits, First Principles Defect Theory, Mechanical and optical resonators, Qunatumsimulations, Light-matter interaction

Abstract Endbericht

Ziel des Sonderforschungsbereich-Transregio Quantenkooperativität von Licht und Materie (TRR306) ist es Kooperativität in Quantensystemen zu charakterisieren, zu kontrollieren und zu gestallten. Im TRR306 vereinen die Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, die Johannes-Gutenberg-Universität Mainz und die Universität des Saarlandes gemeinsam mit Arbeitsgruppen vom DESY, Hamburg, der TU Kaiserslautern und der Johannes Kepler Universität Linz ihre Kräfte um diese große Herausforderung zu bewältigen. Die Arbeitsgruppe der Johannes Kepler Universität Linz erforscht die Quantenkooperativität in der Kopplung von Elektronspins, die auf Defekten in Halbleitern, sogenannten Farbzentren, lokalisiert sind, an Licht und mechanische Moden des Materials. Einige Farbzentren in Halbleitern wie Siliziumcarbid (SiC) stellen Festkörper-Quantenbits oder Ein- photonenquellen dar. Solche Festkörper-Quantenbits ermöglichen präzise Quanten-basierte Messverfahren von Magnetfeldern, elektrischen Feldern und der Temperatur und könnten als Quantenregister in Quantencomputern eingesetzt werden. Einphotonenquellen sind für Anwendungen in der Quantenkryptographie wichtig. Eine kohärente Kopplung zwischen Farbzentren in einem einzelnen Bauelement herzustellen und kooperative Effekte, wie eine Spin-Spin-Kopplung oder Superradianz, zu erzielen, ist nach wie vor eine große Herausforderung. Nicht nur die technologische Komplexität an sich stellt eine Hürde dar, sondern es müssen auch die Kopplung und mit ihr konkurierende physikalische Mechanismen verstanden und beherrscht werden. In unserem Projekt untersuchen wir vielversprechende Farbzentren in SiC als Bestandteil einer neuen, vielseitigen und monolithischen Quantentechnologieplattform. Unser Ziel ist es eine kohärente Kopplung von zwei, letztendlich mehreren, Farbzentren mittels optischer und/oder mechanischer Resonatoren herzustellen und nutzbarzumachen. Um dieses hochgesteckte Ziel zu erreichen, vereinen wir die sich ergänzenden Kompetenzen unserer Arbeitsgruppe mit denen unserer Projektpartner in der Nano- und SiC-Hableitertechnologie, sowie in der experimentellen und theoretischen Defektphysik. Die Rolle der Theoriearbeitsgruppe an der Johannes Kepler Universität ist die Untersuchung atomistischer Modelle für vielversprechende, kürzlich entdeckte Farbzentren in Zusammenarbeit mit dem Experiment. Basierend auf ab initio Methoden wird unsere Modellierung der Kopplung einzelner Farbzentren mittels Resonatormoden dafür wichtige physikalischen Mechanism aufklären. Mit diesem Wissen und darüber hinausgehender Modellbildung soll die Entwicklung der monolithischen Quantentechnologieplattform vorangetrieben werden.

Der SFB-TRR "Quantum Cooperativity of Light and Matter" (TRR306) fokusierte auf die Charakterisierung, Kontrolle und dem Design von Kooperativität auf der Ebene der Quantenphysik. Zu diesem allgemeinen und modernen Forschungsthema passend, erforschte das Teilprojekt "Punktdefekte in SiC: Kopplung von Licht, Spin und Materie" die Wechselwirkung von Farbzentren im elektronisch ausgereiften Halbleitermaterial Silizium Carbid mit Photonen und mechanischen Resonatormoden. Prototypische Farbzentren in diesem Material sind vielversprechende Kandidaten für die Realisierung von Quantumbits für Quantentechnologien. Unsere Forschungsgruppen an der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, der Rheinland-Pfälzischen Technischen Universität Kaiserslautern-Landau und der Johannes Kepler Universität Linz bündelten unsere Expertise in Nano- und SiC-Technologie, sowie der experimentellen und theoretischen Defektphysik mit dem Ziel eine monolitische SiC-Plattform für die Kopplung von Farbzentren mit Resonatoren zu entwickeln und damit langfristig eine Kopplung von zwei Spin-Quantumbits zu erreichen. Im Folgenden stehen die Ergebnisse der Theoriegruppe an der Johannes Kepler Universität Linz im Fokus. Mit der Kopplung von Spin-Quantumbits mittels Resonatoren als langfristiges Ziel stellen sich methodische Herausforderungen auch für die Theoriegruppe. Optische Resonatormoden treiben den Optischen Zyklus der Farbzentren einschließlich der nicht strahlenden, Spin-Umklapp-Übergänge und der konkurierenden Photoionisierung dieser Farbzentren vom aktiven in einen inaktiven Zustand, während mechanische Moden Spin-Übergänge mittels ihres Verzerrungsfeld auslösen. Mit der Implementierung der Spin-Bahn- und der Spin-Spin-Wechselwirkung in unser Quantum-Embedding-Verfahren für Farbzentren, das die Behandlung von hoch korrelierten Defektzuständen ermöglicht, ist es uns gelungen eine zentrale Herausforderung mit Blick auf das langfristige Ziel zu lösen. Auf Basis einer Weiterentwicklung einer modernen Einbettungsmethode zur Berechnung von Linenformen von vibronischen Übergängen können wir die Spin-Umklapp-Übergangsraten im optischen Zyklus vorhersagen. Für den komplexen Fall der Siliziumleerstelle mit mehreren Zwischenzuständen bestätigen unsere Berechnungen das experimentelle Model und geben wichtige Erkenntnisse, die ein zukünftiges Engineering des optischen Zyklus, z.B. hinsichtlich eines optimalen Spinkontrasts, ermöglichen. Das Engineering betrifft auch optische Ionisierungsprozess und chargestate control. Basierend auf unseren berechneten optischen Ionisierungsquerschnitten konnten wir den hauptsächlichen Ionisierungsmechanismus von zwei prototypischen Quantumbits in SiC identifizieren. In einer Zusammenarbeit mit der Universität Stuttgart (Wrachtrup-Gruppe) wird dieses Ergebnis für das V2-Zentrum (Siliziumleerstelle) in SiC in einem SiC-Schottky-Device mit Integration in optische Mikorstrukturen nachgewiesen. Über diese unmittelbaren wichtigen Forschungsbeiträge hinaus bildet dieses Projekt die Grundlage für die Verfolgung unseres langfristigen Ziels in zukünftigen Forschungsprojekten.

Forschungsstätte(n)
  • Universität Linz - 100%
Internationale Projektbeteiligte
  • Heiko Weber, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg - Deutschland
  • Joachim Von Zanthier, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg - Deutschland
  • Elke Neu-Ruffing, Technische Universität Kaiserslautern - Deutschland

Research Output

  • 7 Publikationen
  • 1 Methoden & Materialien
  • 2 Wissenschaftliche Auszeichnungen
Publikationen
  • 2023
    Titel The Optical Properties of the Carbon Di-Vacancy-Antisite Complex in the Light of the TS Photoluminescence Center
    DOI 10.4028/p-90qste
    Typ Journal Article
    Autor Jungwirth N
    Journal Defect and Diffusion Forum
  • 2024
    Titel Optical Ionization of Qubits and their Silent Charge States
    DOI 10.4028/p-9trmue
    Typ Journal Article
    Autor Bockstedte M
    Journal Key Engineering Materials
  • 2024
    Titel Spin-Orbit Coupling of Color Centers for Quantum Applications
    DOI 10.4028/p-cbuwr2
    Typ Journal Article
    Autor Neubauer M
    Journal Key Engineering Materials
  • 2024
    Titel Corrigendum: Removing the orientational degeneracy of the TS defect in 4H-SiC by electric fields and strain (2021 New J. Phys. 23073002)
    DOI 10.1088/1367-2630/ad4582
    Typ Journal Article
    Autor Candolfi F
    Journal New Journal of Physics
  • 2024
    Titel Optical and electrical studies on the TS defect in 4H-SiC
    DOI 10.1088/1361-6463/ad7bc5
    Typ Journal Article
    Autor Fuchs A
    Journal Journal of Physics D: Applied Physics
  • 2025
    Titel Single V2 defect in 4H silicon carbide Schottky diode at low temperature.
    DOI 10.1038/s41467-025-59647-9
    Typ Journal Article
    Autor Kuna P
    Journal Nature communications
    Seiten 4669
  • 2021
    Titel Removing the orientational degeneracy of the TS defect in 4H-SiC by electric fields and strain
    DOI 10.1088/1367-2630/abfb3e
    Typ Journal Article
    Autor Lehmeyer J
    Journal New Journal of Physics
Methoden & Materialien
  • 0
    Titel Spin-Spin and Spin-Orbit Coupling with the quantum embedding method CI-CRPA
    Typ Improvements to research infrastructure
    Öffentlich zugänglich
Wissenschaftliche Auszeichnungen
  • 2025
    Titel PSIK Conference 2025 Invited Speaker
    Typ Personally asked as a key note speaker to a conference
    Bekanntheitsgrad Continental/International
  • 2023
    Titel Symposium SiC-QCP 2023
    Typ Personally asked as a key note speaker to a conference
    Bekanntheitsgrad Continental/International

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