Nukleierung und Wachstum während der Atomlagenabscheidung
Nucleation and growth during atomic layer deposition
Wissenschaftsdisziplinen
Nanotechnologie (30%); Physik, Astronomie (30%); Werkstofftechnik (40%)
Keywords
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Atomic Layer Deposition,
Nucleation,
Micro- and Nanostructuring,
Polymer,
Two-photon polymerisation,
Thin film deposition
Atomlagenabscheidung (ALD) ist eine chemische Gasphasenabscheidungstechnik. Mithilfe zweier binärer Reaktionen wird ein Materialfilm von wenigen Atomlagen Dicke auf ein Substrat beliebiger Komplexität abgeschieden. ALD erlaubt die Abscheidung eines breiten Spektrums anorganischer Materialien auf unterschiedlichen Substraten. Sie ist der wichtigste Treiber in der Halbleiterindustrie, findet jedoch auch in verschiedenen anderen Bereichen Anwendung. Die Herstellung von komplexen 3D-Konstrukten ist mit ALD jedoch nicht möglich, da ein Substrat benötigt wird. Zweiphotonen-Polymerisation (2PP) ist ein innovatives Verfahren zur Herstellung von Bauteilen im Mikro- und Nanometerbereich. Dabei härten fokussierte Laserpulse ein Harz aus. Bei der Bewegung des Fokuspunktes im Harz entsteht eine 3D-Polymerlinie. Konstrukte bis 1 cm Größe und Auflösungen von 65 nm werden erreicht. Die Anwendungsbereiche von 2PP sind Nanophotonik, mikromechanische Systeme und Gewebezüchtung. Bisher können jedoch nur Polymere effizient verarbeitet werden. Für einige Anwendungen, bei denen die 3D-Fähigkeiten und die Auflösung nützlich wären, braucht man aber die Materialeigenschaften von Metallen. Die Kombination dieser beiden Techniken vereinigt die jeweiligen Vorteile. Bauteile mit komplexen Geometrien werden mithilfe der 2PP produziert, auf denen Material mit den gewünschten Eigenschaften mittels ALD abgeschieden wird. ALD auf Polymersubstraten ist jedoch schwierig. Die zugrunde liegenden Mechanismen sind bis heute noch nicht vollständig untersucht. Um Bedingungen für eine gleichmäßige Materialabscheidung auf Polymersubstraten zu bestimmen, ohne die Geometrie des Substrates zu beeinflussen, wird im vorgeschlagenen 15-monatigen Projekt, die Nukleierung in den ersten ALD-Zyklen untersucht. Analysen der Abteilung "Nanoscale Prototyping Laboratory" an der Universität Stanford haben gezeigt, dass diese erste ALD-Phase essentiell für die Qualität und Leistung der ALD-Schichten ist. Mithilfe nur in Stanford verfügbarer in situ Charakterisierungsmethoden sollen drei Faktoren untersucht werden, die die Qualität von ALD-Filmen beeinflussen, nämllich Prozesstemperatur, Substratgeometrie und Substratzusammensetzung. Hierzu werden zuerst Halbleitermaterialien auf flachen, 2PP prozessierbaren Polymersubstraten abgeschieden, das Wachstum untersucht und durch Einstellung der ALD Parameter eingestellt. Anschließend wird die Abscheidung auf komplexen, 2PP strukturierten Oberflächen untersucht, um den Einfluss der Geometrie zu bestimmen. Die Untersuchung dieser Grundlagenaspekte zeigt neue Wege auf, ALD und 2PP erfolgreich zu kombinieren. Die Resultate werden dazu beitragen, neue Forschungsfelder zu etablieren und/oder bestehende zu optimieren.
Die Kombination von Atomlagenabscheidung (ALD) und Zweiphotonenlithographie (2PP) ermöglicht es, die Vorteile beider Technologies zu kombinieren. Komplex geformte Polymere werden mithilfe von 2PP produziert und dann mittels ALD beschichtet. So kann man beliebige Strukturen mit sehr unterschiedlichen Materialeigenschaften herstellen. Polymere mit ALD zu beschichten ist jedoch schwierig. Die zugrundeliegenden Mechanismen sind bis heute noch nicht vollständig untersucht.Die Beschichtung mit alkalinen Erdmetallen ist durch ihre besonderen optischen und elektrischen Eigenschaften besonders zukunftsträchtig. Insbesondere Bariumtitanat (BTO) hat viele Anwendungsmöglichkeiten von Solarzellen bis zu dynamischen Random Access Memory Bausteinen. Die Abscheidung dieses Materials auf 3D-Druck Bauteilen könnte neue Möglichkeiten eröffnen, Prototypen für optische und elektronische Bauteile herzustellen. Die Mikrofabrikation von BTO ist jedoch kostspielig und schwierig. Ein neues Verfahren für die Abscheidung von BTO unter 200C wurde entwickelt. Komplex geformte Substrate mit Aspektverhältnissen von ~1:4 können gleichmäßig beschichtet werden. Das Verfahren wird in naher Zukunft kommerzialisiert und erlaubt die Herstellung von neuartigen Dünnschichtkondensatoren, Solarzellen und mikroelektronischen und mechanischen Bauteilen.Durch Nanoeffekte unterscheiden sich dünne Schichten stark vom Vollmaterial. Mithilfe eines eigens entwickelten Analyseinstruments, konnten diese Nanoeffekte während der Entstehung einer dünnen Schicht mit Synchrotonstrahlung untersucht und verstanden werden. Ein Zusammenhang zwischen elektrischen Eigenschaften dünner BTO Schichten und ihrer Struktur wurde hergestellt. Das Verständnis der initialen Wachstumsphase einer ALD Schicht auf einem bestimmten Substrat wurde vertieft. Die Erkenntnisse dieser Studien erlaubten es, Prozessparameter gewünschten Eigenschaften zuzuordnen und organische Oberflächen wie Graphen für die ALD zu funktionalisieren.
- University of Stanford - 100%
Research Output
- 180 Zitationen
- 7 Publikationen
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2016
Titel Self-limiting atomic layer deposition of barium oxide and barium titanate thin films using a novel pyrrole based precursor DOI 10.1039/c5tc03561a Typ Journal Article Autor Acharya S Journal Journal of Materials Chemistry C Seiten 1945-1952 Link Publikation -
2016
Titel Relating Electronic and Geometric Structure of Atomic Layer Deposited BaTiO3 to its Electrical Properties DOI 10.1021/acs.jpclett.6b00393 Typ Journal Article Autor Torgersen J Journal The Journal of Physical Chemistry Letters Seiten 1428-1433 Link Publikation -
2015
Titel Exploring the local electronic structure and geometric arrangement of ALD Zn(O,S) buffer layers using X-ray absorption spectroscopy DOI 10.1039/c5tc02912k Typ Journal Article Autor Dadlani A Journal Journal of Materials Chemistry C Seiten 12192-12198 -
2014
Titel CHAPTER 4 Efficient Photoinitiators for Two-Photon Polymerization DOI 10.1039/9781782620075-00075 Typ Book Chapter Autor Torgersen J Verlag Royal Society of Chemistry (RSC) Seiten 75-86 -
2017
Titel Process–property relationship in high- k ALD SrTiO 3 and BaTiO 3 : a review DOI 10.1039/c6tc05158h Typ Journal Article Autor Shim J Journal Journal of Materials Chemistry C Seiten 8000-8013 Link Publikation -
2017
Titel Revealing the Bonding Environment of Zn in ALD Zn(O,S) Buffer Layers through X-ray Absorption Spectroscopy DOI 10.1021/acsami.7b06728 Typ Journal Article Autor Dadlani A Journal ACS Applied Materials & Interfaces Seiten 39105-39109 Link Publikation -
2016
Titel ALD Zn(O,S) Thin Films’ Interfacial Chemical and Structural Configuration Probed by XAS DOI 10.1021/acsami.6b04000 Typ Journal Article Autor Dadlani A Journal ACS Applied Materials & Interfaces Seiten 14323-14327 Link Publikation