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Rastertransportuntersuchungen auf Nanostrukturen

Scanning Transport Spectroscopy on Nanostructures

Jürgen Smoliner (ORCID: 0000-0002-0395-4876)
  • Grant-DOI 10.55776/P16337
  • Förderprogramm Einzelprojekte
  • Status beendet
  • Projektbeginn 01.10.2003
  • Projektende 30.09.2007
  • Bewilligungssumme 228.018 €

Wissenschaftsdisziplinen

Physik, Astronomie (100%)

Keywords

    InAs-GaAs, SPM, Quantum dots, Electronic transport

Abstract Endbericht

Selbstorganisierte InAs Quantenpunkte sind vielversprechende Kandidaten für optoelektronische Anwendungen und werden auch als Ausgangsmaterial für Quantencomputer und Spinelektronische Bauelemente in Erwägung gezogen. Zur Untersuchung von Quantenpunkten wird eine Vielzahl von Messtechniken verwendet. Mit dem steigenden Interesse an den Eigenschaften einzelner Nanostrukturen erwiesen sich Rastersondenmethoden als die flexibelste Messtechnik um einzelne InAs Quantenpunkte oder Übergitter aus Quantenpunkten zu charakterisieren. In diesem Projekt soll ein "Rastersonden Nanostruktur Parameter Messplatz" aufgebaut und eingesetzt werden. Zu diesem Zweck wird ein neues Tieftemperatur Rastersondenmikroskop mit leitenden Spitzen eingesetzt. Mit der leitenden Spitze können Kontakte zu einzelnen Quantenpunkten hergestellt und auf diese Weise beliebige elektrische Messungen temperaturabhängig im Bereich zwischen 300 K und 4K durchgeführt werden Das Rastersondenmikroskop liefert ortsaufgelöst Informationen auf dem Quantenpunkt und aus dessen Umgebung. Auf diese Weise können Artefakte aus Inhomogenitäten identifiziert werden. Weiters können so Experimente zum Stromtransport zwischen verschiedendimensionalen Elektronensystemen gemacht werden, wobei die Stelle der Strominjektion genau kontrolliert werden kann. Messungen auf Querschnittsproben sind besonders zur Optimierung des MBE Wachstums interessant. Barrierenhöhen können z.B. aus temperaturabhängigen Thermoemissionsmessungen bestimmt werden. Im Vergleich zu konventionellen Messungen an makroskopischen Proben liefern Messungen an Einzelpunkten eine bessere spektroskopische Auflösung, da Mittelungseffekte aus der Größenverteilung der Quantenpunkte vermieden werden. Auf diese Weise können Coulombblockade oder Spinblockade Effekte mit hoher Auflösung untersucht werden. Mit Kapazitätsmessungen lassen sich Coulombblockade ebenfalls studieren. Für diesen Zweck wird eine extrem empfindliche Messbrücke verwendet, welche Kapazitäten im aF Bereich auflösen kann. Auf diese Weise kann z.B. die Elektronenkonzentration in den Quantenpunkten bestimmt werden. Da sich unser Aufbau auch als Rasterkapazitätsmikroskop verwendet werden kann, lässt sich sogar die laterale Ladungsverteilung in einem Quantenpunkt bestimmen. Weil sich das Rastersondenmikroskop in einem optischen Kryostaten befindet, gibt es einen optischen Zugang zur Probe. Auf diese Weise sind im Prinzip Elektrolumineszenz- und Photoleitungsmessungen möglich. Variiert man den Anpressdruck zwischen Spitze und Probe, lassen sich der Einfluss von Druck und Verspannungen studieren oder Experimente zum elekrischen Ausbreitungswiderstand machen.

Selbstorganisierte InAs Quantenpunkte sind vielversprechende Kandidaten für optoelektronische Anwendungen und werden auch als Ausgangsmaterial für Quantencomputer und Spinelektronische Bauelemente in Erwägung gezogen. Zur Untersuchung von Quantenpunkten wird eine Vielzahl von Messtechniken verwendet. Mit dem steigenden Interesse an den Eigenschaften einzelner Nanostrukturen erwiesen sich Rastersondenmethoden als die flexibelste Messtechnik um einzelne InAs Quantenpunkte oder Übergitter aus Quantenpunkten zu charakterisieren. In diesem Projekt soll ein "Rastersonden Nanostruktur Parameter Messplatz" aufgebaut und eingesetzt werden. Zu diesem Zweck wird ein neues Tieftemperatur Rastersondenmikroskop mit leitenden Spitzen eingesetzt. Mit der leitenden Spitze können Kontakte zu einzelnen Quantenpunkten hergestellt und auf diese Weise beliebige elektrische Messungen temperaturabhängig im Bereich zwischen 300 K und 4K durchgeführt werden Das Rastersondenmikroskop liefert ortsaufgelöst Informationen auf dem Quantenpunkt und aus dessen Umgebung. Auf diese Weise können Artefakte aus Inhomogenitäten identifiziert werden. Weiters können so Experimente zum Stromtransport zwischen verschiedendimensionalen Elektronensystemen gemacht werden, wobei die Stelle der Strominjektion genau kontrolliert werden kann. Messungen auf Querschnittsproben sind besonders zur Optimierung des MBE Wachstums interessant. Barrierenhöhen können z.B. aus temperaturabhängigen Thermoemissionsmessungen bestimmt werden. Im Vergleich zu konventionellen Messungen an makroskopischen Proben liefern Messungen an Einzelpunkten eine bessere spektroskopische Auflösung, da Mittelungseffekte aus der Größenverteilung der Quantenpunkte vermieden werden. Auf diese Weise können Coulombblockade oder Spinblockade Effekte mit hoher Auflösung untersucht werden. Mit Kapazitätsmessungen lassen sich Coulombblockade ebenfalls studieren. Für diesen Zweck wird eine extrem empfindliche Messbrücke verwendet, welche Kapazitäten im aF Bereich auflösen kann. Auf diese Weise kann z.B. die Elektronenkonzentration in den Quantenpunkten bestimmt werden. Da sich unser Aufbau auch als Rasterkapazitätsmikroskop verwendet werden kann, lässt sich sogar die laterale Ladungsverteilung in einem Quantenpunkt bestimmen. Weil sich das Rastersondenmikroskop in einem optischen Kryostaten befindet, gibt es einen optischen Zugang zur Probe. Auf diese Weise sind im Prinzip Elektrolumineszenz- und Photoleitungsmessungen möglich. Variiert man den Anpressdruck zwischen Spitze und Probe, lassen sich der Einfluss von Druck und Verspannungen studieren oder Experimente zum elekrischen Ausbreitungswiderstand machen.

Forschungsstätte(n)
  • Technische Universität Wien - 100%

Research Output

  • 60 Zitationen
  • 10 Publikationen
Publikationen
  • 2007
    Titel Ballistic electron transport through titanylphthalocyanine films
    DOI 10.1063/1.2710211
    Typ Journal Article
    Autor Özcan S
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 092107
  • 2007
    Titel Ballistic Electron Emission Microscopy/Spectroscopy on Au/Titanylphthalocyanine/GaAs Heterostructures
    DOI 10.1088/1742-6596/61/1/271
    Typ Journal Article
    Autor Özcan S
    Journal Journal of Physics: Conference Series
    Seiten 1371
    Link Publikation
  • 2006
    Titel Cross Sectional Ballistic Electron Emission Microscopy for Schottky Barrier Height Profiling on Heterostructures
    DOI 10.1143/jjap.45.2204
    Typ Journal Article
    Autor Rakoczy D
    Journal Japanese Journal of Applied Physics
    Seiten 2204
  • 2006
    Titel Electron-beam deposited SiO2 investigated by scanning capacitance microscopy
    DOI 10.1063/1.2189030
    Typ Journal Article
    Autor Brezna W
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 122116
  • 2005
    Titel Cross-sectional ballistic electron emission microscopy for Schottky barrier height profiling on heterostructures
    DOI 10.1063/1.1924882
    Typ Journal Article
    Autor Rakoczy D
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 202112
  • 2008
    Titel Ballistic electron mean free path of titanylphthalocyanine films grown on GaAs
    DOI 10.1002/pssc.200776551
    Typ Journal Article
    Autor Özcan S
    Journal physica status solidi c
    Seiten 386-389
  • 2005
    Titel Quantitative scanning capacitance spectroscopy on GaAs and InAs quantum dots
    DOI 10.1088/0268-1242/20/9/002
    Typ Journal Article
    Autor Brezna W
    Journal Semiconductor Science and Technology
    Seiten 903
  • 2005
    Titel Tracing deeply buried InAs/GaAs quantum dots using atomic force microscopy and wet chemical etching
    DOI 10.1063/1.1862332
    Typ Journal Article
    Autor Fasching G
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 063111
  • 2005
    Titel Mapping of local oxide properties by quantitative scanning capacitance spectroscopy
    DOI 10.1063/1.1881773
    Typ Journal Article
    Autor Brezna W
    Journal Journal of Applied Physics
    Seiten 093701
  • 2004
    Titel Ballistic electron emission microscopy on spin valve structures
    DOI 10.1063/1.1814423
    Typ Journal Article
    Autor Heer R
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 4388-4390

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