Rastertransportuntersuchungen auf Nanostrukturen
Scanning Transport Spectroscopy on Nanostructures
Wissenschaftsdisziplinen
Physik, Astronomie (100%)
Keywords
-
InAs-GaAs,
SPM,
Quantum dots,
Electronic transport
Selbstorganisierte InAs Quantenpunkte sind vielversprechende Kandidaten für optoelektronische Anwendungen und werden auch als Ausgangsmaterial für Quantencomputer und Spinelektronische Bauelemente in Erwägung gezogen. Zur Untersuchung von Quantenpunkten wird eine Vielzahl von Messtechniken verwendet. Mit dem steigenden Interesse an den Eigenschaften einzelner Nanostrukturen erwiesen sich Rastersondenmethoden als die flexibelste Messtechnik um einzelne InAs Quantenpunkte oder Übergitter aus Quantenpunkten zu charakterisieren. In diesem Projekt soll ein "Rastersonden Nanostruktur Parameter Messplatz" aufgebaut und eingesetzt werden. Zu diesem Zweck wird ein neues Tieftemperatur Rastersondenmikroskop mit leitenden Spitzen eingesetzt. Mit der leitenden Spitze können Kontakte zu einzelnen Quantenpunkten hergestellt und auf diese Weise beliebige elektrische Messungen temperaturabhängig im Bereich zwischen 300 K und 4K durchgeführt werden Das Rastersondenmikroskop liefert ortsaufgelöst Informationen auf dem Quantenpunkt und aus dessen Umgebung. Auf diese Weise können Artefakte aus Inhomogenitäten identifiziert werden. Weiters können so Experimente zum Stromtransport zwischen verschiedendimensionalen Elektronensystemen gemacht werden, wobei die Stelle der Strominjektion genau kontrolliert werden kann. Messungen auf Querschnittsproben sind besonders zur Optimierung des MBE Wachstums interessant. Barrierenhöhen können z.B. aus temperaturabhängigen Thermoemissionsmessungen bestimmt werden. Im Vergleich zu konventionellen Messungen an makroskopischen Proben liefern Messungen an Einzelpunkten eine bessere spektroskopische Auflösung, da Mittelungseffekte aus der Größenverteilung der Quantenpunkte vermieden werden. Auf diese Weise können Coulombblockade oder Spinblockade Effekte mit hoher Auflösung untersucht werden. Mit Kapazitätsmessungen lassen sich Coulombblockade ebenfalls studieren. Für diesen Zweck wird eine extrem empfindliche Messbrücke verwendet, welche Kapazitäten im aF Bereich auflösen kann. Auf diese Weise kann z.B. die Elektronenkonzentration in den Quantenpunkten bestimmt werden. Da sich unser Aufbau auch als Rasterkapazitätsmikroskop verwendet werden kann, lässt sich sogar die laterale Ladungsverteilung in einem Quantenpunkt bestimmen. Weil sich das Rastersondenmikroskop in einem optischen Kryostaten befindet, gibt es einen optischen Zugang zur Probe. Auf diese Weise sind im Prinzip Elektrolumineszenz- und Photoleitungsmessungen möglich. Variiert man den Anpressdruck zwischen Spitze und Probe, lassen sich der Einfluss von Druck und Verspannungen studieren oder Experimente zum elekrischen Ausbreitungswiderstand machen.
Selbstorganisierte InAs Quantenpunkte sind vielversprechende Kandidaten für optoelektronische Anwendungen und werden auch als Ausgangsmaterial für Quantencomputer und Spinelektronische Bauelemente in Erwägung gezogen. Zur Untersuchung von Quantenpunkten wird eine Vielzahl von Messtechniken verwendet. Mit dem steigenden Interesse an den Eigenschaften einzelner Nanostrukturen erwiesen sich Rastersondenmethoden als die flexibelste Messtechnik um einzelne InAs Quantenpunkte oder Übergitter aus Quantenpunkten zu charakterisieren. In diesem Projekt soll ein "Rastersonden Nanostruktur Parameter Messplatz" aufgebaut und eingesetzt werden. Zu diesem Zweck wird ein neues Tieftemperatur Rastersondenmikroskop mit leitenden Spitzen eingesetzt. Mit der leitenden Spitze können Kontakte zu einzelnen Quantenpunkten hergestellt und auf diese Weise beliebige elektrische Messungen temperaturabhängig im Bereich zwischen 300 K und 4K durchgeführt werden Das Rastersondenmikroskop liefert ortsaufgelöst Informationen auf dem Quantenpunkt und aus dessen Umgebung. Auf diese Weise können Artefakte aus Inhomogenitäten identifiziert werden. Weiters können so Experimente zum Stromtransport zwischen verschiedendimensionalen Elektronensystemen gemacht werden, wobei die Stelle der Strominjektion genau kontrolliert werden kann. Messungen auf Querschnittsproben sind besonders zur Optimierung des MBE Wachstums interessant. Barrierenhöhen können z.B. aus temperaturabhängigen Thermoemissionsmessungen bestimmt werden. Im Vergleich zu konventionellen Messungen an makroskopischen Proben liefern Messungen an Einzelpunkten eine bessere spektroskopische Auflösung, da Mittelungseffekte aus der Größenverteilung der Quantenpunkte vermieden werden. Auf diese Weise können Coulombblockade oder Spinblockade Effekte mit hoher Auflösung untersucht werden. Mit Kapazitätsmessungen lassen sich Coulombblockade ebenfalls studieren. Für diesen Zweck wird eine extrem empfindliche Messbrücke verwendet, welche Kapazitäten im aF Bereich auflösen kann. Auf diese Weise kann z.B. die Elektronenkonzentration in den Quantenpunkten bestimmt werden. Da sich unser Aufbau auch als Rasterkapazitätsmikroskop verwendet werden kann, lässt sich sogar die laterale Ladungsverteilung in einem Quantenpunkt bestimmen. Weil sich das Rastersondenmikroskop in einem optischen Kryostaten befindet, gibt es einen optischen Zugang zur Probe. Auf diese Weise sind im Prinzip Elektrolumineszenz- und Photoleitungsmessungen möglich. Variiert man den Anpressdruck zwischen Spitze und Probe, lassen sich der Einfluss von Druck und Verspannungen studieren oder Experimente zum elekrischen Ausbreitungswiderstand machen.
- Technische Universität Wien - 100%
Research Output
- 60 Zitationen
- 10 Publikationen
-
2007
Titel Ballistic electron transport through titanylphthalocyanine films DOI 10.1063/1.2710211 Typ Journal Article Autor Özcan S Journal Applied Physics Letters Seiten 092107 -
2007
Titel Ballistic Electron Emission Microscopy/Spectroscopy on Au/Titanylphthalocyanine/GaAs Heterostructures DOI 10.1088/1742-6596/61/1/271 Typ Journal Article Autor Özcan S Journal Journal of Physics: Conference Series Seiten 1371 Link Publikation -
2006
Titel Cross Sectional Ballistic Electron Emission Microscopy for Schottky Barrier Height Profiling on Heterostructures DOI 10.1143/jjap.45.2204 Typ Journal Article Autor Rakoczy D Journal Japanese Journal of Applied Physics Seiten 2204 -
2006
Titel Electron-beam deposited SiO2 investigated by scanning capacitance microscopy DOI 10.1063/1.2189030 Typ Journal Article Autor Brezna W Journal Applied Physics Letters Seiten 122116 -
2005
Titel Cross-sectional ballistic electron emission microscopy for Schottky barrier height profiling on heterostructures DOI 10.1063/1.1924882 Typ Journal Article Autor Rakoczy D Journal Applied Physics Letters Seiten 202112 -
2008
Titel Ballistic electron mean free path of titanylphthalocyanine films grown on GaAs DOI 10.1002/pssc.200776551 Typ Journal Article Autor Özcan S Journal physica status solidi c Seiten 386-389 -
2005
Titel Quantitative scanning capacitance spectroscopy on GaAs and InAs quantum dots DOI 10.1088/0268-1242/20/9/002 Typ Journal Article Autor Brezna W Journal Semiconductor Science and Technology Seiten 903 -
2005
Titel Tracing deeply buried InAs/GaAs quantum dots using atomic force microscopy and wet chemical etching DOI 10.1063/1.1862332 Typ Journal Article Autor Fasching G Journal Applied Physics Letters Seiten 063111 -
2005
Titel Mapping of local oxide properties by quantitative scanning capacitance spectroscopy DOI 10.1063/1.1881773 Typ Journal Article Autor Brezna W Journal Journal of Applied Physics Seiten 093701 -
2004
Titel Ballistic electron emission microscopy on spin valve structures DOI 10.1063/1.1814423 Typ Journal Article Autor Heer R Journal Applied Physics Letters Seiten 4388-4390