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Spin Eigenschaften von eingeschränkten Elektronen

Spin Properties of Confined Electrons in Semiconductors

Wolfgang Jantsch (ORCID: )
  • Grant-DOI 10.55776/P20550
  • Förderprogramm Einzelprojekte
  • Status beendet
  • Projektbeginn 01.03.2008
  • Projektende 31.12.2011
  • Bewilligungssumme 333.932 €
  • Projekt-Website

Wissenschaftsdisziplinen

Nanotechnologie (30%); Physik, Astronomie (70%)

Keywords

    Spin manipulation, Spin-orbit interaction, Spin decoherence, Spin resonance

Abstract Endbericht

Wir haben kürzlich auf eine außerordentlich effiziente Möglichkeit hingewiesen, die Rotation von Spins (also des magnetischen Moments) von Elektronen in Silizium Quantentopfstrukturen anzuregen, und zwar über einen angelegten elektrischen Strom. Der zugrunde liegende Mechanismus ist das Strom-induzierte Bychkov-Rashba (BR) Feld, das von der Spin-Bahn Wechselwirkung in Systemen mit niedrigerer als Spiegelsymmetrie auftritt. Bei einseitig modulationsdotierten Si Quantentöpfen rührt das BR Feld vom elektrischen Feld der geladenen Donatoren her und verursacht auch Spin-Dekohärenz und -Relaxation, wie von uns gezeigt wurde. Das BR Feld verschiebt 1.) die Spin-Resonanz, wenn ein Gleichstrom angelegt wird und 2) verursacht Spin- Übergänge bei Strömen im Mikrowellenfrequenzbereich. Wir erwarten um Größenordnungen geringere Mikrowellenleistung als bei der üblichen magnetischen Dipolanregung, um denselben Effekt zu erzielen. Wir planen nun daher in diesem Projekt, diesen Effekt quantitative zu erfassen, ihn auszunützen, um Spin-Resonanz in Si Nanostrukturen zu untersuchen, und ihn auch bei anderen Materialien, wie GaN und Graphen, anzuwenden. Neben der Verwendung von Mikrowellenresonatoren planen wir auch, die Mikrowellen über eine Stripline - Geometrie der Probe zuzuführen, bzw. Mikroresonatoren aufzubauen. Die Spin-Resonanz soll auch elektrisch über die Niederfrequenzleitfähigkeit nachgewiesen werden um so die in Resonatoren limitierende Integralempfindlichkeit zu umgehen und damit auch Nanostrukturen, wie Quantendrähte, untersuchen zu können. Wir werden auch die Möglichkeit einer elektrischen Dipolanregung in Quantenpunkten untersuchen. Die Untersuchungen werden auch nach dem Spin-Echo Verfahren erfolgen, um Spin-Manipulation zu demonstrieren und um Dekohärenz- und Relaxation untersuchen zu können. Mit dieser neuen Anregungsmethode können wir ESR Untersuchungen auch auf tiefe Temperaturen und variable Frequenzen ausdehnen. Derartige Untersuchungen sind in konventionellen ESR Experimenten nur schwer durchführbar wegen des großen Resonators, der üblicherweise für eine einzige Frequenz konstruiert ist. Frequenzabhängige Untersuchungen im Übergangsbereich von kleinem zu großem ct sollen durchgeführt werden, um unsere Erklärung für die beobachtete Dyson-artige Linienform zu untermauern. Tieftemperaturexperimente werden benötigt, um den Effekt der Spin-Polarisation auf die sogenannte 0.7 Anomalie in der Leitfähigkeit von Quantendrähten und auch um die valley-orbit Resonanz in Si Quantenstrukturen untersuchen zu können.

Elektronen besitzen neben ihrer Ladung auch ein magnetisches Moment, bedingt durch ihren "Spin". Damit sind Elektronen auch so etwas wie die kleinste vorstellbare Kompassnadel. Aus quantenmechanischen Gründen kann sich diese nur parallel oder antiparallel zu einem Magnetfeld einstellen. Damit liegt es nahe, diese Eigenschaft für die Realisierung einer binären logischen Einheit, eines "bit`s" zu nützen. Ein Vorteil wäre, dass Elektronen nicht, wie üblich, zwischen zwei "Taschen" bewegt werden müssten, um den Wert zB von 0 auf 1 zu ändern, was Zeit und Energie erfordert. Das ist eins der Motive, weltweit über eine Spin-basierende Elektronik die "Spintronik"- nachzudenken. Es sind allerdings noch viele Probleme bis zur praktischen Realisierung solcher Bauelemente zu lösen. Eine der ersten Fragen ist, wie man den Spin effizient einstellen kann und wie lange die Information erhalten werden kann Fragen, die in diesem Projekt behandelt wurden. In der Elektronen-Spin-Resonanz wird der Spin durch ein Mikrowellenmagnetfeld manipuliert. Ein Ergebnis dieses Projektes ist, dass der Spin um Größenordnungen schneller und effizienter durch ein hoch-frequentes elektrisches Feld umgeklappt werden kann. Dieser Effekt resultiert aus dem sog. Rashba-Feld, das in Proben ohne Spiegelsymmetrie auftritt. Dort sind der Spin und die Geschwindigkeit nicht unabhängig: aus der Geschwindigkeit resultiert ein Drehmoment auf den Spin. Eine ähnliche Kopplung tritt für sich sehr schnell bewegende, "relativistische" freie Elektronen auf, was Erwin Schrödinger 1930 bereits kurz nach der Veröffentlichung der Dirac Gleichung diskutierte. Sein Schluss war, dass das kräftefrei fliegende relativistische Elektron eine hochfrequente "Zitterbewegung" senkrecht zu seiner Flugrichtung ausführt (worauf auch sein magnetisches Moment zurückgeführt wird). Die Frequenz dieser Bewegung ist aber so groß, die Amplitude so klein, dass eine direkte Beobachtung nicht möglich scheint. In diesem Projekt wird u.a. gezeigt, dass in asymmetrischen Halbleiterschichten eine ähnliche Kopplung auftritt, die Frequenz aber derart reduziert ist, dass ein Nachweis möglich wurde. In diesem Projekt wurde auch gezeigt, dass (1) Kohlenstoff-Nanoröhrchen bei tiefen Temperaturen ferromagnetisch (fm) werden unerwartet, da sie keine Metalle enthalten. Leitungselektronen verstärken diesen FM. Ferromagnetische Resonanz (2) wurde benützt um winzige fm Ausscheidungen nachzuweisen ein wichtiges Hilfsmittel auf der Suche nach fm Halbleitern. In einer Mischung eines fm- und eines ferroelektrischen Halbleiters, Ge1-x Mn x Te, wurde gefunden (3), dass eine ferroelektrische Verzerrung des Kristallgitters die Magnetisierungsrichtung verändern kann, und somit die Magntisierung durch Anlegen eines elektrischen Feldes manipuliert werden kann. Schließlich fanden wir eine verblüffend einfache Methode (4), um Nanokristalle mit nanometer-Genauigkeit auf einem Substrat zu positionieren. So konnten wir mit einem "Magnetkraftmikroskop" demonstrieren, dass ein Datenspeicher aus magnetischen Nanokristallen mit einer Kapazität von bis zu 10 Terrabit/inch2 aufgebaut werden kann.

Forschungsstätte(n)
  • Universität Linz - 100%
Internationale Projektbeteiligte
  • Saskia Fischer, Ruhr-Universität Bochum - Deutschland
  • Zbyslaw Wilamowski, Polish Academy of Science - Polen
  • Eugeniyus Ivchenko, Russian Academy of Sciences - Russland
  • Stephen A. Lyon, Princeton University - Vereinigte Staaten von Amerika
  • Douglas J. Paul, University of Glasgow - Vereinigtes Königreich

Research Output

  • 361 Zitationen
  • 22 Publikationen
Publikationen
  • 2013
    Titel Electron and hole deep levels related to Sb-mediated Ge quantum dots embedded in n-type Si, studied by deep level transient spectroscopy
    DOI 10.1063/1.4809595
    Typ Journal Article
    Autor Rangel-Kuoppa V
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 232106
  • 2012
    Titel Origin of low-temperature magnetic ordering in Ga1-xMnxN
    DOI 10.1103/physrevb.85.205204
    Typ Journal Article
    Autor Sawicki M
    Journal Physical Review B
    Seiten 205204
    Link Publikation
  • 2012
    Titel Ferromagnetic decoration in metal–semiconductor separated and ferrocene functionalized single-walled carbon nanotubes
    DOI 10.1002/pssb.201200452
    Typ Journal Article
    Autor Chernov A
    Journal physica status solidi (b)
    Seiten 2323-2327
  • 2014
    Titel Magnetic-Field-Induced Ferroelectric Polarization Reversal in the Multiferroic Ge1-xMnxTe Semiconductor
    DOI 10.1103/physrevlett.112.047202
    Typ Journal Article
    Autor Przybylinska H
    Journal Physical Review Letters
    Seiten 047202
  • 2012
    Titel Magnetic phase transition for defect induced electron spins from fully metal–semiconductor separated SWCNTs
    DOI 10.1002/pssb.201200426
    Typ Journal Article
    Autor Havlicek M
    Journal physica status solidi (b)
    Seiten 2562-2567
  • 2012
    Titel Spin-orbit force due to Rashba coupling at the spin resonance condition
    DOI 10.1103/physrevb.86.245318
    Typ Journal Article
    Autor Ungier W
    Journal Physical Review B
    Seiten 245318
  • 2012
    Titel Indirect exchange interaction in fully metal-semiconductor separated single-walled carbon nanotubes revealed by electron spin resonance
    DOI 10.1103/physrevb.86.045402
    Typ Journal Article
    Autor Havlicek M
    Journal Physical Review B
    Seiten 045402
  • 2012
    Titel Synthesis of visible light emitting self assembled Ge nanocrystals embedded within a SiO2 matrix
    DOI 10.1063/1.3688023
    Typ Journal Article
    Autor Hernández-Hernández A
    Journal Journal of Applied Physics
    Seiten 044327
  • 2012
    Titel Determination of conduction band offset between strained CdSe and ZnSe layers using deep level transient spectroscopy
    DOI 10.1063/1.4729764
    Typ Journal Article
    Autor Rangel-Kuoppa V
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 252110
  • 2011
    Titel Magnetic anisotropy of epitaxial Fe1-xSix films on GaAs(001)
    DOI 10.1103/physrevb.84.054461
    Typ Journal Article
    Autor Wegscheider M
    Journal Physical Review B
    Seiten 054461
  • 2011
    Titel Self-aligned fabrication of in-plane SiGe nanowires on rib-patterned Si (001) substrates
    DOI 10.1063/1.3608149
    Typ Journal Article
    Autor Chen G
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 043103
  • 2011
    Titel Experimental probing of exchange interactions between localized spins in the dilute magnetic insulator (Ga,Mn)N
    DOI 10.1103/physrevb.84.035206
    Typ Journal Article
    Autor Bonanni A
    Journal Physical Review B
    Seiten 035206
    Link Publikation
  • 2010
    Titel Ohmic contacts and n-type doping on TixCr2-xO3 films and the temperature dependence of their transport properties
    DOI 10.1016/j.tsf.2010.07.087
    Typ Journal Article
    Autor Rangel-Kuoppa V
    Journal Thin Solid Films
    Seiten 453-456
  • 2010
    Titel Self-assembled Si0.80Ge0.20 nanoripples on Si(1 1 10) substrates
    DOI 10.1063/1.3358132
    Typ Journal Article
    Autor Chen G
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 103107
  • 2010
    Titel Electron spin resonance from semiconductor–metal separated SWCNTs
    DOI 10.1002/pssb.201000317
    Typ Journal Article
    Autor Havlicek M
    Journal physica status solidi (b)
    Seiten 2851-2854
  • 2008
    Titel Quantitative determination of Ge profiles across SiGe wetting layers on Si (001)
    DOI 10.1063/1.2988261
    Typ Journal Article
    Autor Brehm M
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 121901
  • 2008
    Titel Ordering of Ge islands on hill-patterned Si (001) templates
    DOI 10.1063/1.2898522
    Typ Journal Article
    Autor Chen G
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 113106
  • 2016
    Titel Valence band offset at the Si/SiSn interface by applying deep level transient spectroscopy
    DOI 10.1088/0957-4484/27/7/075705
    Typ Journal Article
    Autor Rangel-Kuoppa V
    Journal Nanotechnology
    Seiten 075705
  • 2010
    Titel Damascene Process for Controlled Positioning of Magnetic Colloidal Nanocrystals
    DOI 10.1002/adma.200902884
    Typ Journal Article
    Autor Chen G
    Journal Advanced Materials
    Seiten 1364-1368
  • 2011
    Titel EPR line shape and magnetometry—chances and pitfalls
    DOI 10.1088/0268-1242/26/6/064009
    Typ Journal Article
    Autor Wilamowski Z
    Journal Semiconductor Science and Technology
    Seiten 064009
  • 2011
    Titel Photoreflectance study of GaMnAs layers grown by MBE
    DOI 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.041
    Typ Journal Article
    Autor Martínez-Velis I
    Journal Journal of Crystal Growth
    Seiten 344-347
  • 2013
    Titel Sb-mediated Ge quantum dots in Ti–oxide–Si diode: negative differential capacitance
    DOI 10.1088/1468-6996/14/3/035005
    Typ Journal Article
    Autor Rangel-Kuoppa V
    Journal Science and Technology of Advanced Materials
    Seiten 035005
    Link Publikation

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