Adsorption und Wachstum auf Oberflächen auf atomarer Skala
Adsorption and growth on metal surfaces studied on the atomic scale
Wissenschaftsdisziplinen
Physik, Astronomie (100%)
Keywords
-
GROWTH OF ULTRATHIN FILMS,
ADSORPTION,
SURFACE DIFFUSION,
SCANNING TUNNELING,
MICROSCOPY,
ATOMIC STRUCTURE
Für das "Design" neuer Materialien für Katalysatoren oder für hochdichte magnetische Speichermedien ist es nötig, die zugrundeliegenden Prozesse auf atomarer Ebene zu verstehen. Ziel dieses START-Programms ist es, eben solche Prozesse mit oberflächenphysikalischen Methoden, vor allem Rastertunnelmikroskopie, im atomaren Größenmaßstab zu untersuchen und Einblick in die Prozesse durch Abbildung der Atomanordnung zu erhalten. Es sollen entweder die Strukturen durch tiefe Temperaturen eingefroren werden oder durch Untersuchung des Endzustandes der Ablauf dieser Prozesse verstanden werden. In Anbetracht der Bedeutung von Platinlegierungen für Katalysatoren soll die Gasadsorption vor allem auf diesen Materialien untersucht werden. Durch die Möglichkeit der Adsorption auf unterschiedlichen chemischen Elementen ergeben sich zahlreiche wichtige Aspekte, die in den bisher zumeist durchgeführten Studien von Reinelementen fehlten. Weiters sollen aktuelle Themen wie etwa das Auftreten "heißer" Adatome während des Adsorptionsvorganges behandelt werden. Die Arbeiten über magnetische ultradünne Schichten sollen der Erforschung der Struktur und des Wachstums dieser Schichten dienen. Abgesehen von der Lösung offer Fragen an bisher häufig untersuchten Systemen sollen vor allem jene Prozesse und Möglichkeiten untersucht werden, die für die Bildung geschlossener Atomlagen verantwortlich sind - im Gegensatz dazu kommt es oft zum unerwünschten dreidimensionalen Wachstum, also der Ausbildung rauher Schichten. Da derzeitige magnetische Datenspeicher (Festplatten) auf PtCrCo Legierungen basieren und für PtCo-Legierungen und Pt/Co Mehrschichtsysteme ein hohes Entwickungspotential erwartet wird, sollen die Arbeiten vor allem am System Pt-Co durchgeführt werden.
- Technische Universität Wien - 100%