CMOS-kompatible Einzelphotonen-Quellen (CUSPIDOR)
CMOS Compatible Single Photon Sources (CUSPIDOR)
ERA-NET: QuantERA
Wissenschaftsdisziplinen
Nanotechnologie (30%); Physik, Astronomie (70%)
Keywords
-
Single Photon Sources,
SiGe Quantum dots,
Photonic cavities,
CMOS compatible,
Si integrated
Der rasante Fortschritt neuer Quantentechnologien wird die Entwicklung der Gesellschaft transformativ beeinflussen, da sie die Art der Informationsverarbeitung grundlegend verändern wird. Dabei ist Quantenkryptographie ist ein besonders wichtiger Aspekt, da sie einen Angriff auf privaten Datenaustausch sofort bemerkbar und somit unterbindbar macht. Für die Quantenkryptographie ist die effiziente Generierung einzelner Photonen essentiell. Gegenwärtig geschieht dies mit großen und teuren Aufbauten mit einer trotzdem nur bescheiden Rate. Die klassische Informationstechnologie zeigt, dass für eine nahezu allumfassenden Verbreitung robuste, hoch integrierte und preisgünstige Module nötig sind. Bei weitem die höchste Integrationsdichte ist mit Silizium CMOS-Technologie kostengünstig realisierbar. Daher zielt CUSPIDOR auf die Entwicklung einer neuen, CMOS-kompatiblen Quantenoptikplattform ab, mit der deterministische Einzelphotonenquellen realisiert werden können. Diese Quellen werden im Telekommunikationswellenlängenbereich emittieren, sodass bereits bestehende Netzwerke für Quantenkommunikation unmittelbar verwendet werden können. Eine neue Art von Silizium-Germanium Quantenpunkten (SiGe QP), bei denen bei Raumtemperatur und darüber Photonenemission beobachtet wurde, wird in CUSPIDOR zur Erzeugung einzelner Photonen genutzt. Solche QP werden optimal und deterministisch mit nano- photonischen Resonatoren gekoppelt, wodurch die Photonenemissionsrate drastisch erhöht wird. Die Kopplung wird durch QP-Wachstum an lithographisch vordefinierten Stellen zusammen mit präzis justierten, lithographisch definierten Resonatoren aus photonischen Kristallen erreicht. Die Verwendung lithographischer Methoden für beide Prozessschritte erlaubt die einfache, CMOS- kompatible Herstellung einer großer Anzahl identischer Einzelphotonenquellen, die im weiteren mit lithographisch definierten, lateralen p-i-n Dioden mit einem QP im Zentrum kombiniert werden, sodass Einzelphotonenemission elektrisch ausgelöst werden kann. Außerdem werden in CUSPIDOR die SiGe QP zur Entwicklung einer auf Photonenblockade beruhenden Einzelphotonenquelle verwendet. Die Photonentransmission durch ein solches Bauelement wird blockiert, solange sich noch ein früheres Photon im Bauelement befindet. Daher entsteht eine Sequenz von Photonen mit wohldefinierten zeitlichen Abständen bei Wechselwirkung des Bauelements mit einem Laserstrahl. Durch Quanteninterferenz in gekoppelten Resonatoren aus photonischen Kristallen wird die Effizient des Blockadeeffekts gesteigert, sodass die erstmalige Realisierung eines integrierten Blockade Bauelements - ein ``heiliger Gral`` der QuantenphotonikerInnen - in CUSPIDOR gezeigt werden wird. Neben der Bedeutung für die Grundlagenforschung ermöglichtein solches Bauelement die Anwendung von Quantenkommunikationsprotokollen, die mit einem einzelnen QP nicht möglich sind, da sie auf Kohärenz der einzelnen Photonen beruht. CUSPIDORs Endziel ein Demonstrator für eine kompakte, integrierte und flexible Einzelphotonenquelle, die sich für eine Prototypentwicklung eignet.
Das Projekt "CUSPIDOR" zielte auf die Entwicklung einer neuen, CMOS-kompatiblen Quantenoptikplattform ab, mit der Einzelphotonenquellen im typischen Wellenlängenbereich für optische Datenübertragung realisiert werden können. Eine solche Plattform kann direkt in bestehende Telekommunikationsnetzwerke eingebunden werden, deren Nutzung für den Aufbau von Quantennetzwerken als unerlässlich angesehen wird. Die für eine zukünftige Quantenoptikplattform erforderliche Präzision, Erweiterbarkeit, kostengünstige Fabrikation, und Möglichkeit der Kombination mit Kontrollelektronik kann mit realistischem Entwicklungsaufwand nur unter CMOS-Kompatibilität erreicht werden. Wenige Nanometer große Silizium-Germanium Kristalle, sogenannte Quantenpunkte (SiGe QP), wurden auf ihre Eignung als Einzelphotonenquelle untersucht. Solche Quantenpunkte bilden sich unter geeigneten Wachstumsbedingungen in einer Molekularstrahl-Epitaxieanlage (MBE) an vorbestimmten, periodisch angeordneten Positionen. In diesem Projekt wurden die Wachstumsbedingungen in Hinblick auf eine sehr großen periodischen Abstand zwischen den einzelnen Quantenpunkte (100 m x 100 m) optimiert. Große Abstände sind wichtig, weil SiGe QP an sich sehr ineffiziente Photonenemitter sind und zur Effizienzsteigerung einzeln in photonische Resonatoren etwa dieser Abmessungen integriert werden müssen. Für die photonischen Resonatoren wurde ein Layout gewählt, von dem gezeigt wurde, dass bei einfachen Designregeln sehr hohe Gütefaktoren erreicht werden können (bichromatisches Layout). Diese Resonatoren wurden allerdings vor CUSPIDOR noch nie mit einzelnen SiGe QP in ihren Zentren hergestellt und charakterisiert. Mit den oben diskutierten, optimierten Wachstumsbedingungen für einen einzigen QP pro Resonator konnten die größten bisher berichteten Gütefaktoren (Q ~ 100000) von an QP gekoppelten Resonatoren erzielt werden für die Standardplattform für Bauelementen der klassischen integrierten Optik (SOI Plattform). Wegen dieses großen Gütefaktors konnte die Emission eines einzelnen SiGe QP auch bei Raumtemperatur noch klar beobachtet werden. Die beobachtete Wahrscheinlichkeitsverteilung des Emissionszeitpunkts nach der optischen Anregung des QP legt nahe, dass unter ausreichend schwacher Anregung Photonen einzeln von den SiGe QP emittiert werden. Ein unwiderlegbarer Beweis für dieses Emissionsverhalten konnte allerdings im Rahmen des Projekts nicht erbracht werden. Als Alternative zu SiGe QPs basierte Quellen quantenoptischer Strahlung wurden bichromatische Resonatoren ohne QDs auch zur Erzeugung von verschränkten Photonenpaaren optimiert. Dabei werden über nicht-lineare Prozesse in Si aus einem Laserstahl, dessen Intensität für eine Resonanzwellenlänge im Resonator konzentriert wird, paarweise verschränkte Photonen mit unterschiedlichen Wellenlängen erzeugt. Der Vorteil der Verwendung dieser Resonatoren im Vergleich zu bisher in der SOI Plattform dafür eingesetzten Quellen liegt in ihrer größeren Effizient und dem kleineren Platzbedarf in einem integrierten optischen Chip. Mittels Elektronenstrahllithographie und reaktivem Ionenätzen wurde ein optischer Chip mit Ein- und Ausgangswellenleiter sowie Gitterkoppler für Laser bzw. Photonenpaar hergestellt. Nur durch die Integration von Resonator und Wellenleiter konnte die notwendige mechanische Stabilität für reproduzierbare Experimente mit den Photonenpaaren erzielt werden. Für diese Art von Photonenquelle konnte stichhaltig nachgewiesen werden, dass die emittierten Photonenpaare Eigenschaften zeigen, die nicht klassisch, sondern nur quantenphysikalisch beschrieben werden können und dass sie daher z.B für Quantenkryptographie im Telekommunikationswellenlängenbereich eingesetzt werden können.
- Universität Linz - 100%
- Liam O Faolain, Cork Institute of Technology - Irland
- Stephen Fahy, University College Cork - Irland
- Dario Gerace, Università degli studi di Pavia - Italien
- Petr Klenovsky, Masarykova Univerzita - Tschechien
Research Output
- 138 Zitationen
- 17 Publikationen
-
2023
Titel Single SiGe Quantum Dot Emission Deterministically Enhanced in a High-Q Photonic Crystal Resonator DOI 10.1364/opticaopen.22147154.v1 Typ Preprint Autor Fromherz T -
2023
Titel Single SiGe Quantum Dot Emission Deterministically Enhanced in a High-Q Photonic Crystal Resonator DOI 10.1364/opticaopen.22147154 Typ Preprint Autor Fromherz T -
2019
Titel Thermal Stability of Defect-Enhanced Ge on Si Quantum Dot Luminescence upon Millisecond Flash Lamp Annealing DOI 10.1002/pssa.201900307 Typ Journal Article Autor Spindlberger L Journal physica status solidi (a) Link Publikation -
2019
Titel Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots DOI 10.1002/andp.201800259 Typ Journal Article Autor Hackl F Journal Annalen der Physik Link Publikation -
2022
Titel Single SiGe Quantum Dot Emission Deterministically Enhanced in a High-Q Photonic Crystal Resonator Typ Journal Article Autor Aberl J. Journal arxiv Link Publikation -
2022
Titel Single SiGe Quantum Dot Emission Deterministically Enhanced in a High-Q Photonic Crystal Resonator DOI 10.48550/arxiv.2204.09470 Typ Preprint Autor Poempool T -
2022
Titel Relaxation Delay of Ge-Rich Epitaxial SiGe Films on Si(001) DOI 10.1002/pssa.202200154 Typ Journal Article Autor Salomon A Journal physica status solidi (a) Link Publikation -
2021
Titel Photoluminescence enhancement by deterministically site-controlled, vertically stacked SiGe quantum dots DOI 10.1038/s41598-021-99966-7 Typ Journal Article Autor Schuster J Journal Scientific Reports Seiten 20597 Link Publikation -
2021
Titel Light-Emission from Ion-Implanted Group-IV Nanostructures DOI 10.1007/978-3-030-68222-4_2 Typ Book Chapter Autor Brehm M Verlag Springer Nature Seiten 67-103 -
2023
Titel Single SiGe quantum dot emission deterministically enhanced in a high-Q photonic crystal resonator. DOI 10.1364/oe.480281 Typ Journal Article Autor Poempool T Journal Optics express Seiten 15564-15578 Link Publikation -
2021
Titel Light emission from direct band gap germanium containing split-interstitial defects DOI 10.1103/physrevb.103.085310 Typ Journal Article Autor Murphy-Armando F Journal Physical Review B Seiten 085310 Link Publikation -
2021
Titel Advanced hydrogenation process applied on Ge on Si quantum dots for enhanced light emission DOI 10.1063/5.0036039 Typ Journal Article Autor Spindlberger L Journal Applied Physics Letters Seiten 083104 Link Publikation -
2021
Titel Light-emission from ion-implanted group-IV nanostructures DOI 10.48550/arxiv.2101.07580 Typ Preprint Autor Brehm M -
2019
Titel Selective tuning of optical modes in a silicon comb-like photonic crystal cavity DOI 10.1515/nanoph-2019-0395 Typ Journal Article Autor Clementi M Journal Nanophotonics Seiten 205-210 Link Publikation -
2019
Titel Resolving the temporal evolution of line broadening in single quantum emitters. DOI 10.1364/oe.27.035290 Typ Journal Article Autor Schimpf C Journal Optics express Seiten 35290-35307 Link Publikation -
2020
Titel In-Situ Annealing and Hydrogen Irradiation of Defect-Enhanced Germanium Quantum Dot Light Sources on Silicon DOI 10.3390/cryst10050351 Typ Journal Article Autor Spindlberger L Journal Crystals Seiten 351 Link Publikation -
2020
Titel Selective tuning of optical modes in a silicon comb-like photonic crystal cavity DOI 10.48550/arxiv.2004.03491 Typ Preprint Autor Clementi M