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Metastabile nanoskalige feste Lösungen und deren Integration

Metastable nanoscale solid solutions and their integration

Masiar Sistani (ORCID: 0000-0001-5730-234X)
  • Grant-DOI 10.55776/I5383
  • Förderprogramm Einzelprojekte International
  • Status laufend
  • Projektbeginn 01.01.2022
  • Projektende 31.12.2026
  • Bewilligungssumme 170.982 €

DACH: Österreich - Deutschland - Schweiz

Wissenschaftsdisziplinen

Chemie (75%); Physik, Astronomie (25%)

Keywords

    Nanowire, Metastable Composition, Heterostructures, Interfaces, Transport Phenomena

Abstract

Im Zuge dieses Projekts werden germaniumbasierte Nanomaterialien mit metastabiler Zusammensetzung hergestellt. Die Bildung dieser Materialien wird bei niedrigen Temperaturen über Gasphasenprozesse angestrebt, um Segregation in die thermodynamisch bevorzugte Modifikation zu verhindern. Die ungewöhnliche Zusammensetzung der Festkörper verursacht stark veränderte physikalische Eigenschaften die eingehend untersucht werden. Explizit sind die Transporteigenschaften der hergestellten Materialien und der Einfluss von Grenzflächen zu Kontaktmaterialien von Interesse. Darüber hinaus kann eine Verringerung der räumlichen Ausdehnung des metastabilen, germaniumbasierten Halbleiters durch diffusionsinduzierte Austauschreaktionen erreicht werden und erlaubt die Untersuchung von größenabhängigen Phänomenen. Durch geeignete Wahl der Kontaktmaterialien werden Halbleiter/Supraleiter-Kombinationen hergestellt und die Auswirkungen der Kontakte und Grenzflächen evaluiert. Diese Studien über einen breiten Temperaturbereich und unterschiedlicher räumlicher Ausdehnung erlauben somit die fundierte Charakterisierung der vorab hergestellten neuartigen, metastabilen Materialien. Supraleiter-Halbleiter- Kombinationen sind die Basis von modernen Quantencomputern und neue Einblicke bzgl. neuer Materialkombinationen könnten Einflüsse auf diesen Bereich erwarten lassen.

Forschungsstätte(n)
  • Technische Universität Wien - 100%
Internationale Projektbeteiligte
  • Michael Huth, Goethe-Universität Frankfurt am Main - Deutschland
  • Sven Barth, Goethe-Universität Frankfurt am Main - Deutschland

Research Output

  • 34 Zitationen
  • 12 Publikationen
Publikationen
  • 2025
    Titel A Schottky barrier field-effect transistor platform with variable Ge content on SOI
    DOI 10.1016/j.sse.2025.109221
    Typ Journal Article
    Autor Fuchsberger A
    Journal Solid-State Electronics
    Seiten 109221
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Electrostatically Adaptable Current Mirror based on Germanium Field-Effect Transistors
    DOI 10.1109/iscas56072.2025.11043600
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Fuchsberger A
    Seiten 1-5
  • 2025
    Titel Modulation-Acceptor-Doped SiGe Schottky Barrier Field-Effect Transistors
    DOI 10.1109/led.2025.3577243
    Typ Journal Article
    Autor Fuchsberger A
    Journal IEEE Electron Device Letters
    Seiten 1429-1432
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Negative Differential Transconductance Induced by Electrostatic Doping in Multi-Functional Si Field-Effect Transistors
    DOI 10.1002/admt.202501768
    Typ Journal Article
    Autor Fuchsberger A
    Journal Advanced Materials Technologies
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Temperature-dependent electronic transport in reconfigurable transistors based on Ge on SOI and strained SOI platforms
    DOI 10.1016/j.sse.2024.109055
    Typ Journal Article
    Autor Fuchsberger A
    Journal Solid-State Electronics
    Seiten 109055
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Thermionic injection analysis in germanium nanowire Schottky junction FETs by means of 1D and 3D extraction methods
    DOI 10.1039/d4na00957f
    Typ Journal Article
    Autor Behrle R
    Journal Nanoscale Advances
    Seiten 2266-2271
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Reconfigurable Ge Transistors Enabling Adaptive Differential Amplifiers
    DOI 10.1109/ted.2025.3559912
    Typ Journal Article
    Autor Fuchsberger A
    Journal IEEE Transactions on Electron Devices
    Seiten 2868-2873
    Link Publikation
  • 2024
    Titel Implementation of Negative Differential Resistance-Based Circuits in Multigate Ge Transistors
    DOI 10.1109/ted.2024.3485600
    Typ Journal Article
    Autor Fuchsberger A
    Journal IEEE Transactions on Electron Devices
    Seiten 7277-7280
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Electrostatic Gating in Ge-Based Reconfigurable Field-Effect Transistors
    DOI 10.1109/ted.2025.3545802
    Typ Journal Article
    Autor Fuchsberger A
    Journal IEEE Transactions on Electron Devices
    Seiten 1631-1636
    Link Publikation
  • 2024
    Titel Understanding the Electronic Transport of Al–Si and Al–Ge Nanojunctions by Exploiting Temperature-Dependent Bias Spectroscopy
    DOI 10.1021/acsami.3c18674
    Typ Journal Article
    Autor Behrle R
    Journal ACS Applied Materials & Interfaces
    Seiten 19350-19358
    Link Publikation
  • 2022
    Titel Mixed-Substituted Single-Source Precursors for Si1–x Ge x Thin Film Deposition
    DOI 10.1021/acs.inorgchem.2c02835
    Typ Journal Article
    Autor Ko¨Stler B
    Journal Inorganic Chemistry
    Seiten 17248-17255
    Link Publikation
  • 2024
    Titel A Run-Time Reconfigurable Ge Field-Effect Transistor With Symmetric On-States
    DOI 10.1109/jeds.2024.3350209
    Typ Journal Article
    Autor Fuchsberger A
    Journal IEEE Journal of the Electron Devices Society
    Seiten 83-87
    Link Publikation

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