Metastabile nanoskalige feste Lösungen und deren Integration
Metastable nanoscale solid solutions and their integration
DACH: Österreich - Deutschland - Schweiz
Wissenschaftsdisziplinen
Chemie (75%); Physik, Astronomie (25%)
Keywords
-
Nanowire,
Metastable Composition,
Heterostructures,
Interfaces,
Transport Phenomena
Im Zuge dieses Projekts werden germaniumbasierte Nanomaterialien mit metastabiler Zusammensetzung hergestellt. Die Bildung dieser Materialien wird bei niedrigen Temperaturen über Gasphasenprozesse angestrebt, um Segregation in die thermodynamisch bevorzugte Modifikation zu verhindern. Die ungewöhnliche Zusammensetzung der Festkörper verursacht stark veränderte physikalische Eigenschaften die eingehend untersucht werden. Explizit sind die Transporteigenschaften der hergestellten Materialien und der Einfluss von Grenzflächen zu Kontaktmaterialien von Interesse. Darüber hinaus kann eine Verringerung der räumlichen Ausdehnung des metastabilen, germaniumbasierten Halbleiters durch diffusionsinduzierte Austauschreaktionen erreicht werden und erlaubt die Untersuchung von größenabhängigen Phänomenen. Durch geeignete Wahl der Kontaktmaterialien werden Halbleiter/Supraleiter-Kombinationen hergestellt und die Auswirkungen der Kontakte und Grenzflächen evaluiert. Diese Studien über einen breiten Temperaturbereich und unterschiedlicher räumlicher Ausdehnung erlauben somit die fundierte Charakterisierung der vorab hergestellten neuartigen, metastabilen Materialien. Supraleiter-Halbleiter- Kombinationen sind die Basis von modernen Quantencomputern und neue Einblicke bzgl. neuer Materialkombinationen könnten Einflüsse auf diesen Bereich erwarten lassen.
- Technische Universität Wien - 100%
- Michael Huth, Goethe-Universität Frankfurt am Main - Deutschland
- Sven Barth, Goethe-Universität Frankfurt am Main - Deutschland
Research Output
- 34 Zitationen
- 12 Publikationen
-
2025
Titel A Schottky barrier field-effect transistor platform with variable Ge content on SOI DOI 10.1016/j.sse.2025.109221 Typ Journal Article Autor Fuchsberger A Journal Solid-State Electronics Seiten 109221 Link Publikation -
2025
Titel Electrostatically Adaptable Current Mirror based on Germanium Field-Effect Transistors DOI 10.1109/iscas56072.2025.11043600 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Fuchsberger A Seiten 1-5 -
2025
Titel Modulation-Acceptor-Doped SiGe Schottky Barrier Field-Effect Transistors DOI 10.1109/led.2025.3577243 Typ Journal Article Autor Fuchsberger A Journal IEEE Electron Device Letters Seiten 1429-1432 Link Publikation -
2025
Titel Negative Differential Transconductance Induced by Electrostatic Doping in Multi-Functional Si Field-Effect Transistors DOI 10.1002/admt.202501768 Typ Journal Article Autor Fuchsberger A Journal Advanced Materials Technologies Link Publikation -
2025
Titel Temperature-dependent electronic transport in reconfigurable transistors based on Ge on SOI and strained SOI platforms DOI 10.1016/j.sse.2024.109055 Typ Journal Article Autor Fuchsberger A Journal Solid-State Electronics Seiten 109055 Link Publikation -
2025
Titel Thermionic injection analysis in germanium nanowire Schottky junction FETs by means of 1D and 3D extraction methods DOI 10.1039/d4na00957f Typ Journal Article Autor Behrle R Journal Nanoscale Advances Seiten 2266-2271 Link Publikation -
2025
Titel Reconfigurable Ge Transistors Enabling Adaptive Differential Amplifiers DOI 10.1109/ted.2025.3559912 Typ Journal Article Autor Fuchsberger A Journal IEEE Transactions on Electron Devices Seiten 2868-2873 Link Publikation -
2024
Titel Implementation of Negative Differential Resistance-Based Circuits in Multigate Ge Transistors DOI 10.1109/ted.2024.3485600 Typ Journal Article Autor Fuchsberger A Journal IEEE Transactions on Electron Devices Seiten 7277-7280 Link Publikation -
2025
Titel Electrostatic Gating in Ge-Based Reconfigurable Field-Effect Transistors DOI 10.1109/ted.2025.3545802 Typ Journal Article Autor Fuchsberger A Journal IEEE Transactions on Electron Devices Seiten 1631-1636 Link Publikation -
2024
Titel Understanding the Electronic Transport of Al–Si and Al–Ge Nanojunctions by Exploiting Temperature-Dependent Bias Spectroscopy DOI 10.1021/acsami.3c18674 Typ Journal Article Autor Behrle R Journal ACS Applied Materials & Interfaces Seiten 19350-19358 Link Publikation -
2022
Titel Mixed-Substituted Single-Source Precursors for Si1–x Ge x Thin Film Deposition DOI 10.1021/acs.inorgchem.2c02835 Typ Journal Article Autor Ko¨Stler B Journal Inorganic Chemistry Seiten 17248-17255 Link Publikation -
2024
Titel A Run-Time Reconfigurable Ge Field-Effect Transistor With Symmetric On-States DOI 10.1109/jeds.2024.3350209 Typ Journal Article Autor Fuchsberger A Journal IEEE Journal of the Electron Devices Society Seiten 83-87 Link Publikation