Nitride für Quantentunneln und topologische Phänomene
Nitrides for quantum tunnelling and topological phenomena
Wissenschaftsdisziplinen
Physik, Astronomie (100%)
Keywords
-
Nitrides,
Ferromagnetic Insulators,
Spin-Orbit Coupling,
Spin Filtering,
Topological Insulators
Galliumnitrid (GaN) und seine Verbindungen haben in den letzten Jahrzehnten wegen des bemerkenswert breiten Anwendungsspektrums für technologisch relevante Applikationen erhöhte Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Während Nitrid-basierte Verbindungensich im Bereich der sichtbaren und ultravioletten Festkörper-Optoelektronik und für Hochleistungselektronik ohne Zweifel durchgesetzt haben, ist durchaus noch genügend Raum für dieses Materialsystem gegeben, um im Gebiet der Spintronik, des Magnetismus, der Supraleitung und für deren Schnittpunkte Funktionalitäten in Aussicht zu stellen. Im Rahmen früherer geförderter Projekte haben wir dabei ein umfangreiches Protokoll des epitaktischen Wachstums, spezieller (Nano)Charakterisierung und theoretischer Analyse erstellt. Dieses erlaubte uns zu zeigen, dass die kontrollierte Korrelation und Reproduzierbarkeit von Fabrikationsparametern, die strukturelle Anordnung und die physikalisch/chemischen Eigenschaften von magnetisch dotierten Nitriden zu bemerkenswerten Funktionalitäten führen, eingeschlossen folgender Punkte: [i] ferromagnetische Interaktion bei Fehlen von freien Ladungsträgern; [ii] Engineering von magnetischen Komplexen, die das photonische Leistungsspektrum von GaN- basierten Materialien in den Infrarotbereich erweitern und zusätzlich die Einstellung des Spinzustands des Systems erlauben; [iii] Anordnung von planaren Feldern von in GaN eingebetteten magnetischen Nanokristallen mit einstellbarem magnetischen Ansprechverhalten (ferromagnetisch oder antiferromagnetisch). Das Hauptziel dieses Projekts liegt daher darin, diese erst kürzlich erreichten Fortschritte zu nutzen, um Nitrid-basierte Hybridstrukturen zu entwickeln, bei denen halbleitende, (ferro)magnetische und supraleitende Eigenschaften in Anwesenheit von Spin-Bahn-Kopplung kombiniert werden, um: spintronische Funktionalitäten (Spin Hall und Spinfilter Effekte) zu demonstrieren; GaN und (Ga,Mn)N-basierte Struktruren als potentielle topologische Isolatoren zu testen; Ausschau nach Signaturen von Majorana Fermionen zu halten, die aus Supraleitung und von ferromagnetischen Naheffekten resultieren. Die vorgeschlagenen Forschungsaktivitäten dieses Projekts, die substantiell auf dem Studium des Zusammenspiels zwischen Austauschwechselwirkung, Spin-Bahn-Kopplung und Supraleitungs- Korrelationen beruhen, werden daher höchstwahrscheinlich einen bemerkenswerten Einfluss speziell auf die Funktionalitäten des Schlüsselmaterialsystems und generell auf die Aussichten von topologischen Materialien und topologischen Anregungen haben, die für zukünftige Entwicklungen im Bereich der Informationsverarbeitung eine wesentliche Rolle spielen werden.
Das Verständnis und die Kontrolle neuartiger Materialkombinationen, die den immer anspruchsvolleren Anforderungen aktueller und zukünftiger Funktionalitäten entsprechen, gehören zu den Hauptzielen der heutigen Forschung. Im Rahmen dieses Projekts haben wir das zuvor entwickelte Protokoll zur Herstellung und fortgeschrittenen Charakterisierung weiterentwickelt und auf neue Klassen von Materialien und Strukturen ausgedehnt, um neu auftretende Mechanismen zu identifizieren, die an der Schnittstelle von (magnetischem) Material entstehen. Halbleiter, topologische Isolatoren, 2D-Schichtsysteme und Supraleiter. Insbesondere haben wir gezeigt: (i) das Potenzial nichtmagnetischer Heterostrukturen auf Nitridbasis (die auf dem Gebiet der Photonik und Hochleistungselektronik bereits von hoher Relevanz sind) als Wirte von Spinströmen; (ii) das Engineering der Magnetisierung in magnetisch dotierten Nitriden über ein elektrisches Feld und durch einen piezoelektromagnetischen Effekt; (iii) die Möglichkeit kristalliner magnetischer topologischer Isolatoren mit Hall-Effekten, die unempfindlich gegenüber Störungen und Defekten sind. Darüber hinaus haben wir den Weg für das Verständnis und die Kontrolle von antiferromagnetischen 2D-Schichtstrukturen geebnet und ein System entwickelt, das hochempfindliche Andreev-Reflexion und Mikroskopie sowie kryogene Temperaturen und hohe Magnetfelder kombiniert und die Untersuchung exotischer physikalischer Objekte ermöglicht. wie zB Majorana-Fermionen stabilisierten sich an den Stufenrändern topologischer Oberflächen. Wir sind zuversichtlich, dass unsere Ergebnisse Hybrid-Heterostrukturen nicht nur als Bausteine für die nächste Generation nichtflüchtiger, energiesparender Bauelemente, sondern auch als aktive Elemente zum Nachweis von beispielsweise schwer fassbarer dunkler Materie breite Möglichkeiten eröffnen .
- Universität Linz - 100%
- Jairo Sinova, Johannes Gutenberg Universität Mainz - Deutschland
- Pieter Glatzel, European Synchrotron Radiation Facility - Frankreich
- Tomasz Dietl, Polish Academy of Sciences - Polen
- Krzysztof Rogacki, Polish Academy of Sciences - Wroclaw - Polen
Research Output
- 617 Zitationen
- 59 Publikationen
-
2023
Titel Local structure and ordering of Al atoms in AlxGa1-xN epilayers DOI 10.1063/5.0167728 Typ Journal Article Autor Spindlberger A Journal Applied Physics Letters Seiten 232101 -
2022
Titel Effect of impurity scattering on percolation of bosonic islands and reentrant superconductivity in Fe implanted NbN thin films DOI 10.48550/arxiv.2207.06457 Typ Preprint Autor Adhikari R -
2020
Titel Metal-insulator transition in crystalline V2O3 thin films probed at atomic-scale using emission Mössbauer spectroscopy DOI 10.1016/j.tsf.2020.138389 Typ Journal Article Autor Qi B Journal Thin Solid Films Seiten 138389 -
2020
Titel Out-of-Plane Magnetic Anisotropy in Ordered Ensembles of FeyN Nanocrystals Embedded in GaN DOI 10.3390/ma13153294 Typ Journal Article Autor Navarro-Quezada A Journal Materials Seiten 3294 Link Publikation -
2021
Titel Positive magnetoresistance and chiral anomaly in exfoliated type-II Weyl semimetal $T_\mathrm{d}$-WTe$_{2}$ DOI 10.48550/arxiv.2103.16326 Typ Preprint Autor Adhikari R -
2021
Titel Dilute Magnetic Materials DOI 10.1007/978-3-030-63101-7_21-1 Typ Book Chapter Autor Bonanni A Verlag Springer Nature Seiten 1-56 -
2021
Titel Direct-ARPES and STM Investigation of FeSe Thin Film Growth by Nd:YAG Laser DOI 10.3390/coatings11030276 Typ Journal Article Autor Chaluvadi S Journal Coatings Seiten 276 Link Publikation -
2021
Titel Cross-plane thermal conductivity of GaN/AlN superlattices DOI 10.1063/5.0040811 Typ Journal Article Autor Spindlberger A Journal Applied Physics Letters Seiten 062105 Link Publikation -
2021
Titel Low temperature and high magnetic field performance of a commercial piezo-actuator probed via laser interferometry DOI 10.1063/5.0034569 Typ Journal Article Autor Adhikari R Journal Review of Scientific Instruments Seiten 035002 Link Publikation -
2020
Titel Out-of-Plane Magnetic Anisotropy in Ordered Ensembles of Fe$_y$N Nanocrystals Embedded in GaN DOI 10.48550/arxiv.2001.07375 Typ Preprint Autor Navarro-Quezada A -
2020
Titel Low temperature and high magnetic field performance of a commercial piezo-actuator probed $via$ laser interferometry DOI 10.48550/arxiv.2010.11599 Typ Preprint Autor Adhikari R -
2020
Titel Photoluminescence and Stoichiometry Correlation in Nanocrystalline EuO x Thin Films: Tunable Color Emission DOI 10.1021/acs.jpcc.0c03052 Typ Journal Article Autor Mariscal-Jime´Nez A Journal The Journal of Physical Chemistry C Seiten 15434-15439 Link Publikation -
2019
Titel Magnetotransport in phase-separated (Ga,Fe)N with ?'-GayFe4-yN nanocrystals DOI 10.1103/physrevb.99.085201 Typ Journal Article Autor Navarro-Quezada A Journal Physical Review B Seiten 085201 Link Publikation -
2019
Titel Tuning the Size, Shape and Density of ?'-GayFe4-yN Nanocrystals Embedded in GaN DOI 10.3390/cryst9010050 Typ Journal Article Autor Navarro-Quezada A Journal Crystals Seiten 50 Link Publikation -
2019
Titel 57Fe Mössbauer study of epitaxial TiN thin film grown on MgO (1?0?0) by magnetron sputtering DOI 10.1016/j.apsusc.2018.09.107 Typ Journal Article Autor Qi B Journal Applied Surface Science Seiten 682-691 Link Publikation -
2022
Titel Effect of Impurity Scattering on Percolation of Bosonic Islands and Superconductivity in Fe Implanted NbN Thin Films DOI 10.3390/nano12183105 Typ Journal Article Autor Adhikari R Journal Nanomaterials Seiten 3105 Link Publikation -
2022
Titel Unusual charge states and lattice sites of Fe in Al x Ga1-x N:Mn DOI 10.1088/1367-2630/ac9499 Typ Journal Article Autor Masenda H Journal New Journal of Physics Seiten 103007 Link Publikation -
2021
Titel Femtosecond phononic coupling to both spins and charges in a room-temperature antiferromagnetic semiconductor DOI 10.1103/physrevb.104.224424 Typ Journal Article Autor Bossini D Journal Physical Review B Seiten 224424 Link Publikation -
2021
Titel Positive Magnetoresistance and Chiral Anomaly in Exfoliated Type-II Weyl Semimetal Td-WTe2 DOI 10.3390/nano11102755 Typ Journal Article Autor Adhikari R Journal Nanomaterials Seiten 2755 Link Publikation -
2021
Titel Femtosecond phononic coupling to both spins and charges in a room temperature antiferromagnetic semiconductor DOI 10.48550/arxiv.2110.15173 Typ Preprint Autor Bossini D -
2021
Titel Dilute Magnetic Materials DOI 10.1007/978-3-030-63210-6_21 Typ Book Chapter Autor Bonanni A Verlag Springer Nature Seiten 923-978 -
2018
Titel Resonant excitation of infra-red emission in GaN:(Mn,Mg) DOI 10.48550/arxiv.1803.02092 Typ Preprint Autor Kysylychyn D -
2018
Titel Magnetotransport in phase-separated (Ga,Fe)N with $\gamma$'-Ga$_y$Fe$_{4-y}$N nanocrystals DOI 10.48550/arxiv.1809.08894 Typ Preprint Autor Navarro-Quezada A -
2017
Titel Effects of Dielectric Stoichiometry on the Photoluminescence Properties of Encapsulated WSe2 Monolayers DOI 10.48550/arxiv.1703.06186 Typ Preprint Autor Martín-Sánchez J -
2017
Titel Highly oriented EuO nanocrystalline films via reduction process - NIR optical response DOI 10.48550/arxiv.1706.08291 Typ Preprint Autor Mariscal A -
2017
Titel Processing and charge state engineering of MoOx DOI 10.1063/1.4974880 Typ Journal Article Autor Martín-Luengo A Journal AIP Advances Seiten 015034 Link Publikation -
2017
Titel Raman and IR-ATR spectroscopy studies of heteroepitaxial structures with a GaN:C top layer DOI 10.1088/1361-6463/aa7c4b Typ Journal Article Autor Cerqueira M Journal Journal of Physics D: Applied Physics Seiten 365103 Link Publikation -
2017
Titel All-nitride AlxGa1-xN:Mn/GaN distributed Bragg reflectors for the near-infrared DOI 10.1038/srep42697 Typ Journal Article Autor Capuzzo G Journal Scientific Reports Seiten 42697 Link Publikation -
2017
Titel Industrial-scale sputter deposition of molybdenum oxide thin films: Microstructure evolution and properties DOI 10.1116/1.4973214 Typ Journal Article Autor Pachlhofer J Journal Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films Seiten 021504 -
2015
Titel Incorporation of Mn in AlxGa1-xN probed by x-ray absorption and emission spectroscopy, high-resolution microscopy, x-ray diffraction, and first-principles calculations DOI 10.1103/physrevb.92.115308 Typ Journal Article Autor Rovezzi M Journal Physical Review B Seiten 115308 Link Publikation -
2015
Titel Mn as Surfactant for the Self-Assembling of Al x Ga1–x N/GaN Layered Heterostructures DOI 10.1021/cg501144w Typ Journal Article Autor Devillers T Journal Crystal Growth & Design Seiten 587-592 Link Publikation -
2015
Titel Controlling a three dimensional electron slab of graded Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N DOI 10.48550/arxiv.1507.00927 Typ Preprint Autor Adhikari R -
2015
Titel Analytical electron microscopy study on gallium nitride systems doped with manganese and iron DOI 10.1088/0268-1242/30/3/035002 Typ Journal Article Autor Meingast A Journal Semiconductor Science and Technology Seiten 035002 Link Publikation -
2023
Titel Temperature Dependence of the Hyperfine Magnetic Field at Fe Sites in Ba-Doped BiFeO3 Thin Films Studied by Emission Mössbauer Spectroscopy DOI 10.3390/cryst13050724 Typ Journal Article Autor Heiniger-Schell J Journal Crystals Seiten 724 Link Publikation -
2014
Titel Spinodal nanodecomposition in magnetically doped semiconductors DOI 10.48550/arxiv.1412.8062 Typ Preprint Autor Dietl T -
2018
Titel Influence of Mn co-doping on the magnetic properties of planar arrays of Ga x Fe 4-x N nanocrystals in a GaN matrix DOI 10.1039/c8cp04475a Typ Journal Article Autor Del Bianco L Journal Physical Chemistry Chemical Physics Seiten 25411-25420 -
2018
Titel Effects of dielectric stoichiometry on the photoluminescence properties of encapsulated WSe2 monolayers DOI 10.1007/s12274-017-1755-4 Typ Journal Article Autor Martín-Sánchez J Journal Nano Research Seiten 1399-1414 Link Publikation -
2018
Titel Resonant excitation of infrared emission in GaN:(Mn,Mg) DOI 10.1103/physrevb.97.245311 Typ Journal Article Autor Kysylychyn D Journal Physical Review B Seiten 245311 Link Publikation -
2018
Titel Europium monoxide nanocrystalline thin films with high near-infrared transparency DOI 10.1016/j.apsusc.2018.06.180 Typ Journal Article Autor Mariscal A Journal Applied Surface Science Seiten 980-984 Link Publikation -
2017
Titel Non-reactive dc magnetron sputter deposition of Mo-O thin films from ceramic MoOx targets DOI 10.1016/j.surfcoat.2017.07.083 Typ Journal Article Autor Pachlhofer J Journal Surface and Coatings Technology Seiten 80-85 -
2016
Titel Stretching magnetism with an electric field in a nitride semiconductor DOI 10.48550/arxiv.1604.06937 Typ Preprint Autor Sztenkiel D -
2016
Titel Rashba semiconductor as spin Hall material: Experimental demonstration of spin pumping in wurtzite $n$-GaN:Si DOI 10.48550/arxiv.1603.06471 Typ Preprint Autor Adhikari R -
2016
Titel All-nitride and In-free Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Mn/GaN distributed Bragg reflectors for the near-infrared DOI 10.48550/arxiv.1608.07077 Typ Preprint Autor Capuzzo G -
2015
Titel Spinodal nanodecomposition in semiconductors doped with transition metals DOI 10.1103/revmodphys.87.1311 Typ Journal Article Autor Dietl T Journal Reviews of Modern Physics Seiten 1311-1377 Link Publikation -
2015
Titel Impact of residual carbon impurities and gallium vacancies on trapping effects in AlGaN/GaN metal insulator semiconductor high electron mobility transistors DOI 10.1063/1.4927405 Typ Journal Article Autor Huber M Journal Applied Physics Letters Seiten 032106 Link Publikation -
2015
Titel Upper bound for the s-d exchange integral in n-(Ga,Mn)N:Si from magnetotransport studies DOI 10.1103/physrevb.91.205204 Typ Journal Article Autor Adhikari R Journal Physical Review B Seiten 205204 Link Publikation -
2019
Titel Families of magnetic semiconductors — an overview DOI 10.1088/1674-4926/40/8/080301 Typ Journal Article Autor Dietl T Journal Journal of Semiconductors Seiten 080301 Link Publikation -
2019
Titel Ferromagnetic phase transition in topological crystalline insulator thin films: Interplay of anomalous Hall angle and magnetic anisotropy DOI 10.1103/physrevb.100.134422 Typ Journal Article Autor Adhikari R Journal Physical Review B Seiten 134422 Link Publikation -
2019
Titel Ferromagnetic phase transition in topological crystalline insulator thin films: interplay of anomalous Hall angle and magnetic anisotropy DOI 10.48550/arxiv.1907.05716 Typ Preprint Autor Adhikari R -
2019
Titel Families of magnetic semiconductors -- an overview DOI 10.48550/arxiv.1909.02999 Typ Preprint Autor Dietl T -
2019
Titel Resonance Raman Spectroscopy of Mn-Mgk Cation Complexes in GaN DOI 10.3390/cryst9050235 Typ Journal Article Autor Nikolenko A Journal Crystals Seiten 235 Link Publikation -
2022
Titel Charge and spin state of dilute Fe in NaCl and LiF DOI 10.1103/physrevb.106.174108 Typ Journal Article Autor Gunnlaugsson H Journal Physical Review B Seiten 174108 Link Publikation -
2016
Titel Stretching magnetism with an electric field in a nitride semiconductor DOI 10.1038/ncomms13232 Typ Journal Article Autor Sztenkiel D Journal Nature Communications Seiten 13232 Link Publikation -
2016
Titel Two-Probe Measurements of Electron Transport in GaN:Si/(Ga,Mn)N/GaN:Si Spin Filter Structures DOI 10.12693/aphyspola.130.1196 Typ Journal Article Autor Kalbarczyk K Journal Acta Physica Polonica A Seiten 1196-1198 Link Publikation -
2016
Titel Decoupling of epitaxy-related trapping effects in AlGaN/GaN metal–insulator semiconductor high-electron-mobility transistors DOI 10.1002/pssa.201532752 Typ Journal Article Autor Huber M Journal physica status solidi (a) Seiten 1222-1228 Link Publikation -
2016
Titel Characterization of AlN/AlGaN/GaN:C heterostructures grown on Si(111) using atom probe tomography, secondary ion mass spectrometry, and vertical current-voltage measurements DOI 10.1063/1.4944652 Typ Journal Article Autor Huber M Journal Journal of Applied Physics Seiten 125701 -
2016
Titel Controlling a three dimensional electron slab of graded AlxGa1-xN DOI 10.1063/1.4939788 Typ Journal Article Autor Adhikari R Journal Applied Physics Letters Seiten 022105 Link Publikation -
2016
Titel Rashba semiconductor as spin Hall material: Experimental demonstration of spin pumping in wurtzite n-GaN:Si DOI 10.1103/physrevb.94.085205 Typ Journal Article Autor Adhikari R Journal Physical Review B Seiten 085205 Link Publikation -
2016
Titel Effects of processing on the stability of molybdenum oxide ultra-thin films DOI 10.48550/arxiv.1609.07993 Typ Preprint Autor Martín-Luengo A