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SPAD-basierte faser-optische CMOS Empfänger

SPAD-based fiber optical CMOS receivers

Horst Zimmermann (ORCID: 0000-0003-3221-0769)
  • Grant-DOI 10.55776/P28335
  • Förderprogramm Einzelprojekte
  • Status beendet
  • Projektbeginn 01.01.2016
  • Projektende 30.11.2020
  • Bewilligungssumme 348.512 €
  • Projekt-Website

Wissenschaftsdisziplinen

Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik (70%); Physik, Astronomie (30%)

Keywords

    Single-Photon Avalanche Diode, SPAD model, Optical Receiver, Optoelectronic Integrated Circuit

Abstract Endbericht

Herkömmliche, analoge optische CMOS Empfänger benötigen aufgrund des thermischen Rauschens eine relativ hohe optische Eingangsleistung. Diese entspricht bei 1Gbit/s oft über 10.000 Photonen pro Bit während die Photonenstatistik die physikalische Grenze von im Mittel lediglich einigen zehn Photonen setzt. Ihre elektrische Leistungsaufnahme ist groß und sie belegen eine große Chip-Fläche. In rein elektronisch integrierten Schaltungen wurden hingegen bereits viele analoge Schaltungsblöcke durch digitale Signalverarbeitung ersetzt. In optoelektronisch integrierten ICs ermöglichen es Single-Photon Avalanche Dioden (SPADs) aufgrund ihrer sehr hohen Verstärkung, digitale optische Empfänger zu realisieren. Es ist jedoch nicht so, dass jedes Photon von diesen SPADs detektiert wird so wie man es wegen des Namens erwarten könnte. Vielmehr besitzen die bisher in CMOS integrierten P+/N-Wannen SPADs eine dünne Absorptions- und Multiplikationszone und erreichen daher nur eine Photonendetektionswahrscheinlichkeit (PDW) von teilweise unter 25% (vor allem für rotes und nah-infrarotes Licht), d. h. es sind im Durchschnitt 4 Photonen notwendig, damit eines eine riesige Lawinenentladung erzeugt, die eine digitale Schaltung triggern kann. Hier setzt das Projekt an, das innovative SPADs für Datenraten von bis zu 1Gbit/s untersucht, deren PDW bis zu 90% erreichen soll. Diese SPADs, die das Prinzip diskreter Avalanche Fotodioden mit dicker Absorptionszone und separater Multiplikationszone nutzen, können erstmals zusammen mit Schaltungen in Hochvolt-CMOS Technologien integriert werden. Diese neuartigen SPADs besitzen ferner eine wesentlich kleinere Kapazität und werden damit die Avalanche Ladung und das Afterpulsing erheblich reduzieren. Um brauchbare digitale optische Empfänger erhalten zu können, müssen die SPADs auf ihre Dunkelzählraten, Afterpulsing und optisches Übersprechen untersucht und Empfangsfehler durch die Verwendung mehrerer SPADs im Empfänger ausgeschlossen werden. Die nötige Anzahl der SPADs und das erreichbare Bitfehlerverhältnis als Funktion der optischen Eingangsleistung werden im Projekt untersucht. Ferner werden verbesserte Trigger-Schaltungen mit erheblich reduzierter Trigger-Schwelle und schnelle Quenching Schaltungen untersucht ebenfalls mit dem Ziel, die Avalanche Ladung und das Afterpulsing zu minimieren. Zudem werden hochfrequente Gating-Schaltungen getestet, um höhere Datenraten von bis zu 1Gbit/s zu erzielen. Ein umfassendes Modell für die SPADs und ihr Bitfehlerverhältnis wird erstellt. Testdetektoren und -empfängerschaltungen werden im Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Verfahren hergestellt, um die innovativen Ansätze digitaler SPAD optischer Empfänger experimentell zu verifizieren. Billige hochdatenratige LEDs mit großem Extinktionsverhältnis werden es ermöglichen, die für den fehlerarmen Empfang notwendige Eingangsleistung gegenüber analogen optischen Empfängern um mehr als einen Faktor von 100 zu reduzieren. Zusammenfassend werden innovative SPADs und neuartige, kleinflächige und stromsparende digitale SPAD-Empfängerschaltungen untersucht, um die Realisierbarkeit einer neuen Generation robuster optischer Empfänger und Sensoren mit erheblich verbesserter Empfindlichkeit zu verifizieren.

Herkömmliche, analoge optische CMOS Empfänger benötigen aufgrund des thermischen Rauschens eine relativ hohe optische Eingangsleistung, um das übliche Bitfehlerverhältnis unter 10^-9 zu reduzieren. Diese entspricht bei 100Mbit/s oft über 20.000 Photonen pro Bit - während die Photonenstatistik die physikalische Grenze von im Mittel wenigen 10 Photonen setzt. Ihre elektrische Leistungsaufnahme ist groß und sie belegen eine große Chip-Fläche. In rein elektronisch integrierten Schaltungen wurden hingegen bereits viele analoge Schaltungsblöcke durch digitale Signalverarbeitung ersetzt. In optoelektronisch integrierten ICs ermöglichen es Single-Photon Avalanche Dioden (SPADs) aufgrund ihrer sehr hohen Verstärkung, eine Art digitale optische Empfänger zu realisieren. Es ist jedoch nicht so, dass jedes Photon von SPADs detektiert wird - so wie man es wegen des Namens erwarten könnte. Vielmehr besitzen die bisher in CMOS integrierten P+/N-Wannen SPADs eine dünne Absorptions- und Multiplikationszone und erreichen daher nur eine Photonendetektionswahrscheinlichkeit (PDW) von teilweise unter 25% (vor allem für rotes und nah-infrarotes Licht), d. h. es sind im Durchschnitt 4 Photonen notwendig, damit eines eine riesige Lawinenentladung erzeugt, die eine digitale Schaltung triggern kann. Hier setzte das Projekt an, das innovative SPADs untersuchte, deren PDW bis zu 90% erreichen kann. Diese SPADs, die das Prinzip diskreter Avalanche Fotodioden mit dicker Absorptionszone und separater Multiplikationszone nutzen, können erstmals zusammen mit Schaltungen in CMOS Technologien integriert werden. Diese neuartigen SPADs besitzen ferner eine wesentlich kleinere Kapazität und reduzieren damit die Avalanche Ladung und das Afterpulsing erheblich. Um brauchbare digitale optische Empfänger zu erhalten, mussten die SPADs auf ihre Dunkelzählraten, Afterpulsing und optisches Übersprechen untersucht und Empfangsfehler durch die Verwendung mehrerer SPADs im Empfänger ausgeschlossen werden. Es müssen genügend viele SPADs sein, so dass diese parasitären Effekte nicht in allen SPADs gleichzeitig innerhalb eines Bits auftreten. Ein Lichtsignal muss hingegen in jeder SPAD eine Detektion auslösen. Die nötige Anzahl der SPADs und das erreichbare Bitfehlerverhältnis als Funktion der optischen Eingangsleistung wurde im Projekt untersucht. Ferner wurden verbesserte Trigger-Schaltungen mit erheblich reduzierter Trigger-Schwelle und schnelle Quenching Schaltungen untersucht - ebenfalls mit dem Ziel, die Avalanche Ladung und das Afterpulsing zu minimieren. Es wurden SPAD-Empfänger für Datenraten von bis zu 200Mbit/s realisiert. Ein Modell für die PDW und für das Bitfehlerverhältnis wurde erstellt. Testdetektoren und -empfängerschaltungen wurden im Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Verfahren hergestellt, um die innovativen Ansätze digitaler optischer Empfänger experimentell zu verifizieren. Die für den fehlerfreien Empfang notwendige Eingangsleistung von SPAD-Empfängern gegenüber den für optische Empfänger mit Avalanche Photodioden im linearen Modus geltenden Abstand von ca. 20dB zum Quantenlimit wurde auf einen Abstand von 8dB reduziert. Zusammenfassend wurden innovative SPADs und neuartige, kleinflächige, stromsparende digitale Empfängerschaltungen untersucht, um die Realisierbarkeit einer neuen Generation robuster optischer Empfänger und Sensoren mit erheblich verbesserter Empfindlichkeit zu verifizieren.

Forschungsstätte(n)
  • Technische Universität Wien - 100%
Internationale Projektbeteiligte
  • Daniel Gäbler, X-FAB Semiconductor Foundries AG - Deutschland
  • Wolfgang Einbrodt, X-FAB Semiconductor Foundries AG - Deutschland
  • Niksa Tadic, University of Montenegro - Montenegro
  • Edoardo Charbon, École polytechnique fédérale de Lausanne - Schweiz
  • Conception Aldea, University of Zaragoza - Spanien

Research Output

  • 275 Zitationen
  • 26 Publikationen
  • 1 Disseminationen
  • 1 Wissenschaftliche Auszeichnungen
  • 1 Weitere Förderungen
Publikationen
  • 2021
    Titel Photon detection probability enhancement using an anti-reflection coating in CMOS-based SPADs.
    DOI 10.1364/ao.432219
    Typ Journal Article
    Autor Kohneh Poushi S
    Journal Applied optics
    Seiten 7815-7820
  • 2021
    Titel Fully-integrated SPAD active quenching/resetting circuit in high-voltage 0.35-µ m CMOS for reaching PDP saturation at 650 nm
    DOI 10.1109/ddecs52668.2021.9417020
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Dervic A
    Seiten 1-5
  • 2020
    Titel Integrated High Voltage Active Quenching Circuit in 150nm CMOS Technology
    DOI 10.1109/austrochip51129.2020.9232988
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Jungwirth M
    Seiten 53-56
  • 2020
    Titel Comprehensive Modeling of Photon Detection Probability in CMOS-based SPADs
    DOI 10.1109/sensors47125.2020.9278771
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Poushi S
    Seiten 1-4
  • 2020
    Titel Avalanche Transients of Thick 0.35 µm CMOS Single-Photon Avalanche Diodes
    DOI 10.3390/mi11090869
    Typ Journal Article
    Autor Goll B
    Journal Micromachines
    Seiten 869
    Link Publikation
  • 2021
    Titel Optical and Electrical Characterization and Modeling of Photon Detection Probability in CMOS Single-Photon Avalanche Diodes
    DOI 10.1109/jsen.2021.3051365
    Typ Journal Article
    Autor Mahmoudi H
    Journal IEEE Sensors Journal
    Seiten 7572-7580
  • 2021
    Titel Bit Error Performance of APD and SPAD Receivers in Optical Wireless Communication
    DOI 10.3390/electronics10222731
    Typ Journal Article
    Autor Mahmoudi H
    Journal Electronics
    Seiten 2731
    Link Publikation
  • 2022
    Titel SPAD Mixed-Quenching Circuit in 0.35-µm CMOS for Achieving a PDP of 39.2% at 854 nm
    DOI 10.23919/mixdes55591.2022.9838232
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Dervic A
    Seiten 116-119
  • 2019
    Titel APD and SPAD Receivers
    DOI 10.1109/contel.2019.8848547
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Zimmermann H
    Seiten 1-5
  • 2013
    Titel Identification and characterization of meat allergens for improved diagnosis of meat allergy
    DOI 10.1186/2045-7022-3-s3-p174
    Typ Journal Article
    Autor Klug C
    Journal Clinical and Translational Allergy
    Link Publikation
  • 2018
    Titel Influence of On-Off Keying Duty Cycle on BER in Wireless Optical Communication Up to 75 Mbit/s Using an SPAD and a RC LED
    DOI 10.1109/cobcom.2018.8443988
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Milovancev D
    Seiten 1-5
  • 2018
    Titel Visible light communication at 50 Mbit/s using a red LED and an SPAD receiver
    DOI 10.1109/csndsp.2018.8471890
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Milovancev D
    Seiten 1-4
  • 2018
    Titel Temperature Dependence of Dark Count Rate and After Pulsing of a Single-Photon Avalanche Diode with an Integrated Active Quenching Circuit in 0.35 µm CMOS
    DOI 10.1155/2018/9585931
    Typ Journal Article
    Autor Hofbauer M
    Journal Journal of Sensors
    Seiten 1-7
    Link Publikation
  • 2018
    Titel Transient Response of a $0.35\mu \mathrm{m}$ CMOS SPAD with Thick Absorption Zone
    DOI 10.1109/icecs.2018.8617999
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Goll B
    Seiten 9-12
  • 2018
    Titel Statistical Study of Intrinsic Parasitics in an SPAD-Based Integrated Fiber Optical Receiver
    DOI 10.1109/ted.2018.2882344
    Typ Journal Article
    Autor Mahmoudi H
    Journal IEEE Transactions on Electron Devices
    Seiten 497-504
  • 2018
    Titel Modeling and Analysis of BER Performance in a SPAD-Based Integrated Fiber Optical Receiver
    DOI 10.1109/jphot.2018.2875519
    Typ Journal Article
    Autor Mahmoudi H
    Journal IEEE Photonics Journal
    Seiten 1-11
    Link Publikation
  • 2018
    Titel A Fully Integrated SPAD-Based CMOS Data-Receiver With a Sensitivity of -64 dBm at 20 Mb/s
    DOI 10.1109/lssc.2018.2794766
    Typ Journal Article
    Autor Goll B
    Journal IEEE Solid-State Circuits Letters
    Seiten 2-5
  • 2020
    Titel Performance of high-voltage CMOS single-photon avalanche diodes with and without well-modulation technique
    DOI 10.1117/1.oe.59.4.040502
    Typ Journal Article
    Autor Hofbauer M
    Journal Optical Engineering
    Seiten 040502-040502
  • 2020
    Titel Fully Integrated Actively Quenched SPAD in 0.18 µm CMOS Technology
    DOI 10.1109/austrochip51129.2020.9232991
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Schneider-Hornstein K
    Seiten 62-65
  • 2020
    Titel Fully integrated optical receiver using single-photon avalanche diodes in high-voltage CMOS
    DOI 10.1117/1.oe.59.7.070502
    Typ Journal Article
    Autor Hofbauer M
    Journal Optical Engineering
    Seiten 070502-070502
  • 2018
    Titel Fast Cascoded Quenching Circuit for Decreasing Afterpulsing Effects in 0.35- $\mu$ m CMOS
    DOI 10.1109/lssc.2018.2827881
    Typ Journal Article
    Autor Enne R
    Journal IEEE Solid-State Circuits Letters
    Seiten 62-65
  • 2018
    Titel Single-Event Transients in a PIN Photodiode and a Single-Photon Avalanche Diode Integrated in 0.35µm CMOS
    DOI 10.1109/radecs45761.2018.9328700
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Hofbauer M
    Seiten 1-5
  • 2017
    Titel Optimized silicon CMOS reach-through avalanche photodiode with 2.3-GHz bandwidth
    DOI 10.1117/1.oe.56.11.110501
    Typ Journal Article
    Autor Steindl B
    Journal Optical Engineering
    Seiten 110501-110501
  • 2017
    Titel Single-Photon Avalanche Photodiode Based Fiber Optic Receiver for Up to 200 Mbs
    DOI 10.1109/jstqe.2017.2764682
    Typ Journal Article
    Autor Steindl B
    Journal IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
    Seiten 1-8
  • 2017
    Titel Optical Wireless Communication with Monolithic Avalanche Photodiode Receivers
    DOI 10.1109/ipcon.2017.8115989
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Milovancev D
    Seiten 25-26
  • 2017
    Titel Integrated fiber optical receiver reducing the gap to the quantum limit
    DOI 10.1038/s41598-017-02870-2
    Typ Journal Article
    Autor Zimmermann H
    Journal Scientific Reports
    Seiten 2652
    Link Publikation
Disseminationen
  • 2020
    Titel Presentation on Int. SPAD Sensor Workshop
    Typ A talk or presentation
Wissenschaftliche Auszeichnungen
  • 2020
    Titel Invited presentation
    Typ Personally asked as a key note speaker to a conference
    Bekanntheitsgrad Continental/International
Weitere Förderungen
  • 2019
    Titel Bipolar Fiber Optical Receivers with SPADs
    Typ Other
    Förderbeginn 2019

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