Quasiteilchenstreuung in Hochtemperatursupraleitern

Hochtemperatursupraleiter spielen heute eine wichtige Rolle sowohl in der Anwendung als auch in der Grundlagenforschung. Immer wichtiger werden in diesem Zusammenhang die Einflüsse von "Impurity Atoms", willkürlich eingebrachten Dotieratomen. Man weiß, dass viele anwendungsbezogene Eigenschaften sehr empfindlich auf die Konzentration und den Typ solcher Dotieratome (wie Nickel und Zink) reagieren. Es gibt jedoch sehr wenige Untersuchungen, die sich auf mikroskopischer Ebene mit diesen Einflüssen beschäftigen. Kürzlich ist es der Gruppe von Prof. J.C. Davis in Berkeley mit Hilfe eines speziellen Rastertunnelmikrosops gelungen, den Einfluß von Dotieratomen auf die lokale, elektronische Struktur (die Quasiteilchenstreuung) in einem Hochtemperatursupraleiter zu studieren. Im vorliegenden Projekt wird nun untersucht, inwieweit diese Ergebnisse universell für unterschiedliche Hochtemperatursupraleiter und Dotieratome gelten. Zudem wird der Einfluß der Temperatur auf die Quasiteilchenstreuung untersucht. Diese neuen Ergebnisse werden zum einen interessant sein für Anwendungen, die auf dotierten Hochtemperatursupraleitern aufbauen. Andrerseits können die Ergenisse auch dazu beitragen, Fragen in der Grundlagenforschung der Hochtemperatursupraleiter besser zu verstehen und zu klären. Dies betrifft sowohl das Verständnis der Quasiteilchenstreuung als auch die grundlegenden Theorien über die Mechanismen der grundlegenden Theorien über die Mechanismen der Hochtemperatursupraleitung.