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Mottisolatoren, Nichtgleichgewicht, Phononen und Screening

Mott insulators out of equilibrium: phonons and screening

Enrico Arrigoni (ORCID: 0000-0002-1347-3080)
  • Grant-DOI 10.55776/P33165
  • Bewilligungs­summe Einzelprojekte
  • Status Beendet
  • Projekt­beginn 01.10.2020
  • Projektende 31.03.2026
  • Bewilligungs­summe 399.620 €
  • Projekt-Website

Wissenschaftsdisziplinen

Physik, Astronomie (100%)

Keywords

  • Strong correlation,
  • Mott transition,
  • Nonequilibrium,
  • Hubbard model,
  • Phonons,
  • Screening
Abstract Zusammenfassung

Stromleitende Materialien bestehen aus negativ geladenen Elektronen, die sich im Hintergrund der positiv geladener Ionen bewegen. In erster Näherung sind Ionen an bestimmten Positionen fixiert (Kristallgitter). Es ist eine große theoretische Herausforderung, die Bewegung dieser riesigen (N~1023) Anzahl von Teilchen und ihre Wechselwirkung über die Coulomb-Kraft zu simulieren. In der Tat ist das selbst für die leistungsstärksten Computer unmöglich. Glücklicherweise kann in den meisten Materialien jedes Elektron in guter Näherung als unabhängiges Teilchen betrachtet werden, das sich im Hintergrund der anderen Elektronen und Ionen bewegt. Dies vereinfacht erheblich den Rechenaufwand und ermöglicht theoretische Vorhersagen über die Eigenschaften dieser Materialien. Dies ist der große Erfolg der sogenannten Bandentheorie der Festkörper. Andererseits existiert eine Reihe sogenannter stark korrelierter Materialien (hier mit SKM abgekürzt), für welche das nicht funktioniert. Nichtsdestotrotz weisen diese Materialien häufig eine Vielzahl von besonderen elektronischen und magnetischen Eigenschaften auf, wie beispielsweise die Supraleitung bei hohen Temperaturen oder eine starke Abhängigkeit des spezifischen Widerstands von angelegten Magnetfeldern, usw., die bei gewöhnlichen Materialien nicht beobachtet werden. Während die Bandentheorie für einige SKM ein stromleitendes Verhalten vorhersagen würde, entsteht aufgrund der Korrelation eine sog. Mott-Lücke, womit diese SKM zu Isolatoren oder Halbleiter werden. All diese Eigenschaften machen SKM zu interessanten Kandidaten für elektronische Komponenten der Zukunft, um die moderne Siliziumtechnologie zu ersetzen oder zu ergänzen. In diesem Projekt werden wir speziell zwei Effekte untersuchen, die für die Anwendung dieser Materialien in elektronischen Geräten wichtig sein könnten. Zunächst werden wir deren photovoltaische Eigenschaften untersuchen. Dies wird durch vorläufige theoretische und experimentelle Studien motiviert, die darauf hinweisen, dass die Effizienz solcher auf Mott-Systemen basierenden Geräte durch sogenannte impact-ionisation Prozesse verbessert werden könnte. Zweitens werden wir den Übergang zwischen einem isolierenden und einem leitenden Zustand untersuchen, der durch Anlegen einer großen Spannung induziert wird. Ein solcher Übergang, der in einigen SKM experimentell beobachtet wurde, macht sie zu interessanten Kandidaten als Komponenten für Computerspeicher-Technologie. Bei beiden Effekten und ganz allgemein in der Geräteelektronik - spielen Wärmetransport und Wärmeleitung eine wichtige Rolle. Hier konzentrieren wir uns insbesondere auf das Zusammenspiel der Mott-Lücke mit Ionen-Vibrationen, sogenannten Phononen, die wichtig sind, um Wärme abzuleiten und damit das Gerät abzukühlen. Das Projekt wird in Zusammenarbeit mit Arbeitsgruppen der TU Wien und der Universität Erlangen-Nürnberg durchgeführt.

In diesem Projekt haben wir untersucht, wie eine Gruppe von Substanzen namens "stark korrelierte Materialien" (SCMs) möglicherweise für den Bau von Elektronik der nächsten Generation genutzt werden kann. In gewöhnlichen Materialien agieren Elektronen unabhängig voneinander. In SCMs bewegen sie sich jedoch in einer hochgradig koordinierten Weise. Dieses kollektive Verhalten verleiht ihnen wichtige Eigenschaften, die von der stromlosen Leitung mit dem Widerstand Null bis hin zu schnellen, plötzlichen Änderungen ihrer Leitfähigkeit reichen. Erstens haben wir untersucht, ob diese Systeme als photovoltaische Bauteile dienen könnten. Dies wurde durch frühere theoretische und experimentelle Arbeiten motiviert, die darauf hindeuteten, dass die Effizienz von Solarzellen auf der Basis von SCM Isolatoren durch die sogenannte "Impact Ionisation" gesteigert werden könnte. Die Idee ist, dass ein stark photoangeregtes Elektron seine überschüssige Energie nutzen kann, um zusätzliche Elektronen über die Energielücke des Materials zu heben, wodurch aus der gleichen Lichtmenge mehr Ladungsträger erzeugt werden. In herkömmlichen Halbleiter-Solarzellen passiert dies selten, da die überschüssige Energie stattdessen durch die mikroskopischen Schwingungen des Materials, bekannt als Phononen, abgeführt wird. Die Untersuchungen des vorliegenden Projekts bestätigten, dass die Impact Ionisation in SCM Isolatoren tatsächlich wichtig ist. Insbesondere haben wir herausgefunden, dass sie verstärkt werden kann, wenn man das Material über schmalbandige, also schwach leitende Kontakte mit dem Bauteil verbindet. Wir haben auch festgestellt, dass Gitterschwingungen den Effekt nicht signifikant unterdrücken. Zweitens haben wir untersucht, wie sich starke elektrische Felder auf diese SCM auswirken, mit dem Ziel, das sogenannte resistive Schalten zu verstehen: ein abrupter Übergang zwischen einem isolierenden und einem leitenden Zustand. Dieses Schalten macht solche Materialien zu vielversprechenden Kandidaten für die Arbeitsspeicher-Technologie (RAM) der nächsten Generation. In beiden Fällen und in der Bauteilelektronik im Allgemeinen spielen Wärmetransport und -dissipation eine wichtige Rolle. Auch diese werden durch die mikroskopischen Schwingungen bestimmt, die Wärme abführen und das Bauteil kühlen. Hierbei zeigte sich ein überraschendes Ergebnis: Entgegen der naiven Erwartung hilft die Dissipation tatsächlich dabei, dass sich beim Übergang ein beträchtlicher Strom entwickelt. Dies steht in starkem Kontrast zu strukturellen Unregelmäßigkeiten (Verunreinigungen), die die Spektren auf eine oberflächlich ähnliche Weise verbreitern, den Stromfluss jedoch stattdessen behindern. Schließlich haben wir eine Frage untersucht, die eine der Grundlagen der Quantenmechanik berührt: die Rolle der Messung. Die Beobachtung eines Quantensystems stört dieses normalerweise, aber wie sich herausstellt, nicht immer. Wir haben ein mikroskopisches elektronisches Bauteil, eine Art Einzelelektronen-Transistor, unter kontinuierlicher Beobachtung (Messung) untersucht. Wir fanden heraus, dass ein empfindliches Quantenphänomen, bekannt als Kondo-Effekt, das Beobachtetwerden überstehen kann, vorausgesetzt, man verfolgt die Ladung der Elektronen und nicht ihren Spin. Überwacht man stattdessen den Spin, "verglüht" der Effekt schnell. Diese Erkenntnisse könnten einen Beitrag zur umfassenderen Frage leisten: wie zukünftige Quantentechnologien beobachtet werden können, ohne zerstört zu werden.

Forschungsstätte(n)
  • Technische Universität Graz - 100%
Nationale Projektbeteiligte
  • Karsten Held, Technische Universität Wien , nationale:r Kooperationspartner:in
Internationale Projektbeteiligte
  • Martin Eckstein, Universität Hamburg - Deutschland

Research Output

  • 110 Zitationen
  • 25 Publikationen
  • 14 Datasets & Models
Publikationen
  • 2026
    Titel Extension of the iterated perturbation theory at arbitrary fillings to nonequilibrium steady states
    DOI 10.48550/arxiv.2604.15942
    Typ Preprint
    Autor Mazzocchi T
    Link Publikation
  • 2026
    Titel Nonequilibrium transport through an interacting monitored quantum dot
    DOI 10.1103/8h9h-m7ks
    Typ Journal Article
    Autor Werner D
    Journal Physical Review Research
  • 2024
    Titel Numerically Exact Simulation of Photodoped Mott Insulators
    DOI 10.1103/physrevlett.132.176501
    Typ Journal Article
    Autor Künzel F
    Journal Physical Review Letters
    Seiten 176501
    Link Publikation
  • 2024
    Titel Photodriven Mott insulating heterostructures: A steady-state study of impact ionization processes
    DOI 10.1103/physrevb.109.235134
    Typ Journal Article
    Autor Gazzaneo P
    Journal Physical Review B
    Seiten 235134
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Functional interpolation expansion for nonequilibrium correlated impurities
    DOI 10.1103/physrevresearch.7.l022044
    Typ Journal Article
    Autor Werner D
    Journal Physical Review Research
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Field-driven Mott insulators out of equilibrium: Interplay of dissipation, phonons and disorder
    Typ PhD Thesis
    Autor Tommaso M. Mazzocchi
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Strongly correlated systems out of equilibrium: efficient solvers for dynamical mean field theory
    Typ PhD Thesis
    Autor Daniel Werner
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Mixed-configuration approximation for multiorbital systems out of equilibrium
    DOI 10.1103/j3c8-cy15
    Typ Journal Article
    Autor Mazzocchi T
    Journal Physical Review B
    Seiten 155127
    Link Publikation
  • 2023
    Titel Configuration interaction based nonequilibrium steady state impurity solver
    DOI 10.1103/physrevb.107.075119
    Typ Journal Article
    Autor Werner D
    Journal Physical Review B
    Seiten 075119
    Link Publikation
  • 2023
    Titel Correlated Mott insulators in a strong electric field: The effects of phonon renormalization
    DOI 10.1103/physrevb.107.155103
    Typ Journal Article
    Autor Mazzocchi T
    Journal Physical Review B
    Seiten 155103
  • 2024
    Titel Iterated Perturbation Theory for Mott Insulators in a Static Electric Field with Optical Phonons
    DOI 10.1002/pssb.202300486
    Typ Journal Article
    Autor Mazzocchi T
    Journal physica status solidi (b)
    Link Publikation
  • 2024
    Titel Impact of disorder and phonons on the Hubbard bands of Mott insulators in strong electric fields
    DOI 10.1103/physrevb.109.045119
    Typ Journal Article
    Autor Mazzocchi T
    Journal Physical Review B
    Seiten 045119
    Link Publikation
  • 2024
    Titel Deep neural networks as variational solutions for correlated open quantum systems
    DOI 10.1038/s42005-024-01757-9
    Typ Journal Article
    Autor Mellak J
    Journal Communications Physics
    Seiten 268
    Link Publikation
  • 2024
    Titel Impact ionization in Mott photovoltaic systems: the role of phonons and multilayered heterostructures
    Typ PhD Thesis
    Autor Paolo Gazzaneo
    Link Publikation
  • 2024
    Titel Auxiliary master equation approach to the Anderson-Holstein impurity problem out of equilibrium
    DOI 10.1103/physrevb.109.075156
    Typ Journal Article
    Autor Werner D
    Journal Physical Review B
    Seiten 075156
  • 2026
    Titel A steady-state study of the nonequilibrium properties of realistic materials: Application of the mixed-configuration approximation
    DOI 10.48550/arxiv.2602.05664
    Typ Preprint
    Autor Mazzocchi T
    Link Publikation
  • 2025
    Titel Phonon effects, impact ionization and power conversion in Mott photovoltaic systems
    DOI 10.1088/1367-2630/adb877
    Typ Journal Article
    Autor Gazzaneo P
    Journal New Journal of Physics
  • 2023
    Titel Quantum transport in open spin chains using neural-network quantum states
    DOI 10.1103/physrevb.107.205102
    Typ Journal Article
    Autor Mellak J
    Journal Physical Review B
    Seiten 205102
  • 2022
    Titel Impact ionization processes in a photodriven Mott insulator: Influence of phononic dissipation
    DOI 10.1103/physrevb.106.195140
    Typ Journal Article
    Autor Gazzaneo P
    Journal Physical Review B
    Seiten 195140
    Link Publikation
  • 2022
    Titel Configuration interaction based nonequilibrium steady state impurity solver
    DOI 10.48550/arxiv.2210.09623
    Typ Preprint
    Autor Werner D
  • 2022
    Titel Correlated Mott insulators in strong electric fields: Role of phonons in heat dissipation
    DOI 10.48550/arxiv.2207.01921
    Typ Preprint
    Autor Mazzocchi T
  • 2022
    Titel Impact ionization processes in a photodriven Mott insulator: influence of phononic dissipation
    DOI 10.48550/arxiv.2208.14752
    Typ Preprint
    Autor Gazzaneo P
  • 2023
    Titel Correlated Mott insulators in a strong electric field: The effects of phonon renormalization
    DOI 10.48550/arxiv.2212.14352
    Typ Preprint
    Autor Mazzocchi T
  • 2023
    Titel Quantum Transport in Open Spin Chains using Neural-Network Quantum States
    DOI 10.48550/arxiv.2212.13453
    Typ Preprint
    Autor Mellak J
  • 2022
    Titel Correlated Mott insulators in strong electric fields: Role of phonons in heat dissipation
    DOI 10.1103/physrevb.106.125123
    Typ Journal Article
    Autor Mazzocchi T
    Journal Physical Review B
    Seiten 125123
    Link Publikation
Datasets & Models
  • 2026 Link
    Titel Steady-state study of the nonequilibrium properties of SrVO$_3$
    DOI 10.3217/snf77-2hv59
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2026 Link
    Titel Functional interpolation expansion for nonequilibrium correlated impurities
    DOI 10.3217/k3drj-gr515
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2026 Link
    Titel Extension of the iterated perturbation theory at arbitrary fillings to nonequilibrium steady states
    DOI 10.3217/ncxe8-nbh07
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2026 Link
    Titel Nonequilibrium transport through an interacting monitored quantum dot
    DOI 10.3217/0wvvx-w9p86
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2025 Link
    Titel Mixed-configuration approximation for multiorbital systems out of equilibrium
    DOI 10.3217/rcyvd-79p71
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2024 Link
    Titel Impact of disorder and phonons on the Hubbard bands of Mott insulators in strong electric fields
    DOI 10.3217/39f1k-b5470
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2024 Link
    Titel Iterated Perturbation Theory for Mott Insulators in a Static Electric Field with Optical Phonons
    DOI 10.3217/9y192-as632
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2024 Link
    Titel Phonon effects, impact ionization and power conversion in Mott photovoltaic systems
    DOI 10.3217/e6zzj-93j27
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2024 Link
    Titel Photodriven Mott insulating heterostructures: A steady-state study of impact ionization processes
    DOI 10.3217/6s1bn-2ge62
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2024 Link
    Titel Deep neural networks as variational solutions for correlated open quantum systems
    DOI 10.3217/hryqk-jzc34
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2024 Link
    Titel Auxiliary master equation approach to the Anderson-Holstein impurity problem out of equilibrium
    DOI 10.3217/dzn47-w6829
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2023 Link
    Titel Correlated Mott insulators in a strong electric field: The effects of phonon renormalization
    DOI 10.3217/xp8n4-cxy56
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2023 Link
    Titel Configuration interaction based nonequilibrium steady state impurity solver
    DOI 10.3217/qhwtz-krj59
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link
  • 2022 Link
    Titel Impact ionization processes in a photodriven Mott insulator: influence of phononic dissipation - Data set & figures
    DOI 10.3217/6nzyz-cvy52
    Typ Database/Collection of data
    Öffentlich zugänglich
    Link Link

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