Mottisolatoren, Nichtgleichgewicht, Phononen und Screening
Mott insulators out of equilibrium: phonons and screening
Wissenschaftsdisziplinen
Physik, Astronomie (100%)
Keywords
- Strong correlation,
- Mott transition,
- Nonequilibrium,
- Hubbard model,
- Phonons,
- Screening
Stromleitende Materialien bestehen aus negativ geladenen Elektronen, die sich im Hintergrund der positiv geladener Ionen bewegen. In erster Näherung sind Ionen an bestimmten Positionen fixiert (Kristallgitter). Es ist eine große theoretische Herausforderung, die Bewegung dieser riesigen (N~1023) Anzahl von Teilchen und ihre Wechselwirkung über die Coulomb-Kraft zu simulieren. In der Tat ist das selbst für die leistungsstärksten Computer unmöglich. Glücklicherweise kann in den meisten Materialien jedes Elektron in guter Näherung als unabhängiges Teilchen betrachtet werden, das sich im Hintergrund der anderen Elektronen und Ionen bewegt. Dies vereinfacht erheblich den Rechenaufwand und ermöglicht theoretische Vorhersagen über die Eigenschaften dieser Materialien. Dies ist der große Erfolg der sogenannten Bandentheorie der Festkörper. Andererseits existiert eine Reihe sogenannter stark korrelierter Materialien (hier mit SKM abgekürzt), für welche das nicht funktioniert. Nichtsdestotrotz weisen diese Materialien häufig eine Vielzahl von besonderen elektronischen und magnetischen Eigenschaften auf, wie beispielsweise die Supraleitung bei hohen Temperaturen oder eine starke Abhängigkeit des spezifischen Widerstands von angelegten Magnetfeldern, usw., die bei gewöhnlichen Materialien nicht beobachtet werden. Während die Bandentheorie für einige SKM ein stromleitendes Verhalten vorhersagen würde, entsteht aufgrund der Korrelation eine sog. Mott-Lücke, womit diese SKM zu Isolatoren oder Halbleiter werden. All diese Eigenschaften machen SKM zu interessanten Kandidaten für elektronische Komponenten der Zukunft, um die moderne Siliziumtechnologie zu ersetzen oder zu ergänzen. In diesem Projekt werden wir speziell zwei Effekte untersuchen, die für die Anwendung dieser Materialien in elektronischen Geräten wichtig sein könnten. Zunächst werden wir deren photovoltaische Eigenschaften untersuchen. Dies wird durch vorläufige theoretische und experimentelle Studien motiviert, die darauf hinweisen, dass die Effizienz solcher auf Mott-Systemen basierenden Geräte durch sogenannte impact-ionisation Prozesse verbessert werden könnte. Zweitens werden wir den Übergang zwischen einem isolierenden und einem leitenden Zustand untersuchen, der durch Anlegen einer großen Spannung induziert wird. Ein solcher Übergang, der in einigen SKM experimentell beobachtet wurde, macht sie zu interessanten Kandidaten als Komponenten für Computerspeicher-Technologie. Bei beiden Effekten und ganz allgemein in der Geräteelektronik - spielen Wärmetransport und Wärmeleitung eine wichtige Rolle. Hier konzentrieren wir uns insbesondere auf das Zusammenspiel der Mott-Lücke mit Ionen-Vibrationen, sogenannten Phononen, die wichtig sind, um Wärme abzuleiten und damit das Gerät abzukühlen. Das Projekt wird in Zusammenarbeit mit Arbeitsgruppen der TU Wien und der Universität Erlangen-Nürnberg durchgeführt.
In diesem Projekt haben wir untersucht, wie eine Gruppe von Substanzen namens "stark korrelierte Materialien" (SCMs) möglicherweise für den Bau von Elektronik der nächsten Generation genutzt werden kann. In gewöhnlichen Materialien agieren Elektronen unabhängig voneinander. In SCMs bewegen sie sich jedoch in einer hochgradig koordinierten Weise. Dieses kollektive Verhalten verleiht ihnen wichtige Eigenschaften, die von der stromlosen Leitung mit dem Widerstand Null bis hin zu schnellen, plötzlichen Änderungen ihrer Leitfähigkeit reichen. Erstens haben wir untersucht, ob diese Systeme als photovoltaische Bauteile dienen könnten. Dies wurde durch frühere theoretische und experimentelle Arbeiten motiviert, die darauf hindeuteten, dass die Effizienz von Solarzellen auf der Basis von SCM Isolatoren durch die sogenannte "Impact Ionisation" gesteigert werden könnte. Die Idee ist, dass ein stark photoangeregtes Elektron seine überschüssige Energie nutzen kann, um zusätzliche Elektronen über die Energielücke des Materials zu heben, wodurch aus der gleichen Lichtmenge mehr Ladungsträger erzeugt werden. In herkömmlichen Halbleiter-Solarzellen passiert dies selten, da die überschüssige Energie stattdessen durch die mikroskopischen Schwingungen des Materials, bekannt als Phononen, abgeführt wird. Die Untersuchungen des vorliegenden Projekts bestätigten, dass die Impact Ionisation in SCM Isolatoren tatsächlich wichtig ist. Insbesondere haben wir herausgefunden, dass sie verstärkt werden kann, wenn man das Material über schmalbandige, also schwach leitende Kontakte mit dem Bauteil verbindet. Wir haben auch festgestellt, dass Gitterschwingungen den Effekt nicht signifikant unterdrücken. Zweitens haben wir untersucht, wie sich starke elektrische Felder auf diese SCM auswirken, mit dem Ziel, das sogenannte resistive Schalten zu verstehen: ein abrupter Übergang zwischen einem isolierenden und einem leitenden Zustand. Dieses Schalten macht solche Materialien zu vielversprechenden Kandidaten für die Arbeitsspeicher-Technologie (RAM) der nächsten Generation. In beiden Fällen und in der Bauteilelektronik im Allgemeinen spielen Wärmetransport und -dissipation eine wichtige Rolle. Auch diese werden durch die mikroskopischen Schwingungen bestimmt, die Wärme abführen und das Bauteil kühlen. Hierbei zeigte sich ein überraschendes Ergebnis: Entgegen der naiven Erwartung hilft die Dissipation tatsächlich dabei, dass sich beim Übergang ein beträchtlicher Strom entwickelt. Dies steht in starkem Kontrast zu strukturellen Unregelmäßigkeiten (Verunreinigungen), die die Spektren auf eine oberflächlich ähnliche Weise verbreitern, den Stromfluss jedoch stattdessen behindern. Schließlich haben wir eine Frage untersucht, die eine der Grundlagen der Quantenmechanik berührt: die Rolle der Messung. Die Beobachtung eines Quantensystems stört dieses normalerweise, aber wie sich herausstellt, nicht immer. Wir haben ein mikroskopisches elektronisches Bauteil, eine Art Einzelelektronen-Transistor, unter kontinuierlicher Beobachtung (Messung) untersucht. Wir fanden heraus, dass ein empfindliches Quantenphänomen, bekannt als Kondo-Effekt, das Beobachtetwerden überstehen kann, vorausgesetzt, man verfolgt die Ladung der Elektronen und nicht ihren Spin. Überwacht man stattdessen den Spin, "verglüht" der Effekt schnell. Diese Erkenntnisse könnten einen Beitrag zur umfassenderen Frage leisten: wie zukünftige Quantentechnologien beobachtet werden können, ohne zerstört zu werden.
- Technische Universität Graz - 100%
- Karsten Held, Technische Universität Wien , nationale:r Kooperationspartner:in
- Martin Eckstein, Universität Hamburg - Deutschland
Research Output
- 110 Zitationen
- 25 Publikationen
- 14 Datasets & Models
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2026
Titel Extension of the iterated perturbation theory at arbitrary fillings to nonequilibrium steady states DOI 10.48550/arxiv.2604.15942 Typ Preprint Autor Mazzocchi T Link Publikation -
2026
Titel Nonequilibrium transport through an interacting monitored quantum dot DOI 10.1103/8h9h-m7ks Typ Journal Article Autor Werner D Journal Physical Review Research -
2024
Titel Numerically Exact Simulation of Photodoped Mott Insulators DOI 10.1103/physrevlett.132.176501 Typ Journal Article Autor Künzel F Journal Physical Review Letters Seiten 176501 Link Publikation -
2024
Titel Photodriven Mott insulating heterostructures: A steady-state study of impact ionization processes DOI 10.1103/physrevb.109.235134 Typ Journal Article Autor Gazzaneo P Journal Physical Review B Seiten 235134 Link Publikation -
2025
Titel Functional interpolation expansion for nonequilibrium correlated impurities DOI 10.1103/physrevresearch.7.l022044 Typ Journal Article Autor Werner D Journal Physical Review Research Link Publikation -
2025
Titel Field-driven Mott insulators out of equilibrium: Interplay of dissipation, phonons and disorder Typ PhD Thesis Autor Tommaso M. Mazzocchi Link Publikation -
2025
Titel Strongly correlated systems out of equilibrium: efficient solvers for dynamical mean field theory Typ PhD Thesis Autor Daniel Werner Link Publikation -
2025
Titel Mixed-configuration approximation for multiorbital systems out of equilibrium DOI 10.1103/j3c8-cy15 Typ Journal Article Autor Mazzocchi T Journal Physical Review B Seiten 155127 Link Publikation -
2023
Titel Configuration interaction based nonequilibrium steady state impurity solver DOI 10.1103/physrevb.107.075119 Typ Journal Article Autor Werner D Journal Physical Review B Seiten 075119 Link Publikation -
2023
Titel Correlated Mott insulators in a strong electric field: The effects of phonon renormalization DOI 10.1103/physrevb.107.155103 Typ Journal Article Autor Mazzocchi T Journal Physical Review B Seiten 155103 -
2024
Titel Iterated Perturbation Theory for Mott Insulators in a Static Electric Field with Optical Phonons DOI 10.1002/pssb.202300486 Typ Journal Article Autor Mazzocchi T Journal physica status solidi (b) Link Publikation -
2024
Titel Impact of disorder and phonons on the Hubbard bands of Mott insulators in strong electric fields DOI 10.1103/physrevb.109.045119 Typ Journal Article Autor Mazzocchi T Journal Physical Review B Seiten 045119 Link Publikation -
2024
Titel Deep neural networks as variational solutions for correlated open quantum systems DOI 10.1038/s42005-024-01757-9 Typ Journal Article Autor Mellak J Journal Communications Physics Seiten 268 Link Publikation -
2024
Titel Impact ionization in Mott photovoltaic systems: the role of phonons and multilayered heterostructures Typ PhD Thesis Autor Paolo Gazzaneo Link Publikation -
2024
Titel Auxiliary master equation approach to the Anderson-Holstein impurity problem out of equilibrium DOI 10.1103/physrevb.109.075156 Typ Journal Article Autor Werner D Journal Physical Review B Seiten 075156 -
2026
Titel A steady-state study of the nonequilibrium properties of realistic materials: Application of the mixed-configuration approximation DOI 10.48550/arxiv.2602.05664 Typ Preprint Autor Mazzocchi T Link Publikation -
2025
Titel Phonon effects, impact ionization and power conversion in Mott photovoltaic systems DOI 10.1088/1367-2630/adb877 Typ Journal Article Autor Gazzaneo P Journal New Journal of Physics -
2023
Titel Quantum transport in open spin chains using neural-network quantum states DOI 10.1103/physrevb.107.205102 Typ Journal Article Autor Mellak J Journal Physical Review B Seiten 205102 -
2022
Titel Impact ionization processes in a photodriven Mott insulator: Influence of phononic dissipation DOI 10.1103/physrevb.106.195140 Typ Journal Article Autor Gazzaneo P Journal Physical Review B Seiten 195140 Link Publikation -
2022
Titel Configuration interaction based nonequilibrium steady state impurity solver DOI 10.48550/arxiv.2210.09623 Typ Preprint Autor Werner D -
2022
Titel Correlated Mott insulators in strong electric fields: Role of phonons in heat dissipation DOI 10.48550/arxiv.2207.01921 Typ Preprint Autor Mazzocchi T -
2022
Titel Impact ionization processes in a photodriven Mott insulator: influence of phononic dissipation DOI 10.48550/arxiv.2208.14752 Typ Preprint Autor Gazzaneo P -
2023
Titel Correlated Mott insulators in a strong electric field: The effects of phonon renormalization DOI 10.48550/arxiv.2212.14352 Typ Preprint Autor Mazzocchi T -
2023
Titel Quantum Transport in Open Spin Chains using Neural-Network Quantum States DOI 10.48550/arxiv.2212.13453 Typ Preprint Autor Mellak J -
2022
Titel Correlated Mott insulators in strong electric fields: Role of phonons in heat dissipation DOI 10.1103/physrevb.106.125123 Typ Journal Article Autor Mazzocchi T Journal Physical Review B Seiten 125123 Link Publikation
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2026
Link
Titel Steady-state study of the nonequilibrium properties of SrVO$_3$ DOI 10.3217/snf77-2hv59 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2026
Link
Titel Functional interpolation expansion for nonequilibrium correlated impurities DOI 10.3217/k3drj-gr515 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2026
Link
Titel Extension of the iterated perturbation theory at arbitrary fillings to nonequilibrium steady states DOI 10.3217/ncxe8-nbh07 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2026
Link
Titel Nonequilibrium transport through an interacting monitored quantum dot DOI 10.3217/0wvvx-w9p86 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2025
Link
Titel Mixed-configuration approximation for multiorbital systems out of equilibrium DOI 10.3217/rcyvd-79p71 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2024
Link
Titel Impact of disorder and phonons on the Hubbard bands of Mott insulators in strong electric fields DOI 10.3217/39f1k-b5470 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2024
Link
Titel Iterated Perturbation Theory for Mott Insulators in a Static Electric Field with Optical Phonons DOI 10.3217/9y192-as632 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2024
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Titel Phonon effects, impact ionization and power conversion in Mott photovoltaic systems DOI 10.3217/e6zzj-93j27 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2024
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Titel Photodriven Mott insulating heterostructures: A steady-state study of impact ionization processes DOI 10.3217/6s1bn-2ge62 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2024
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Titel Deep neural networks as variational solutions for correlated open quantum systems DOI 10.3217/hryqk-jzc34 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2024
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Titel Auxiliary master equation approach to the Anderson-Holstein impurity problem out of equilibrium DOI 10.3217/dzn47-w6829 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2023
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Titel Correlated Mott insulators in a strong electric field: The effects of phonon renormalization DOI 10.3217/xp8n4-cxy56 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2023
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Titel Configuration interaction based nonequilibrium steady state impurity solver DOI 10.3217/qhwtz-krj59 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link -
2022
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Titel Impact ionization processes in a photodriven Mott insulator: influence of phononic dissipation - Data set & figures DOI 10.3217/6nzyz-cvy52 Typ Database/Collection of data Öffentlich zugänglich Link Link